Serwisy partnerskie:
Close icon
Serwisy partnerskie

Edukacja w EdW dla szkół i uczelni - wykład 4: Półprzewodniki mocy

Article Image
Napisałem tytuł „półprzewodniki mocy” i natychmiast chciałem przekreślić i poprawić na „półprzewodnikowe elementy mocy”, ale zaraz potem pomyślałem sobie – przecież po angielsku używa się nazwy „power semiconductors” i każdy rozumie, że chodzi o elementy, a nie o materiały półprzewodnikowe. To dlaczego po polsku tak nie można? Można.
1. Edukacja w EdW dla szkół i uczelni - wykład 1: Od mikroprocesorów do mikrokontrolerów 2. Edukacja w EdW dla szkół i uczelni - wykład 2: Układy scalone 3. Edukacja w EdW dla szkół i uczelni - wykład 3: Tranzystory 4. Edukacja w EdW dla szkół i uczelni - wykład 4: Półprzewodniki mocy 5. Edukacja w EdW dla szkół i uczelni - wykład 5: Diody elektroluminescencyjne (Light Emitting Diodes) 6. Edukacja w EdW dla szkół i uczelni - wykład 6: Transoptory 7. Edukacja w EdW dla szkół i uczelni - wykład 7: Monochromatyczne wyświetlacze LCD 8. Edukacja w EdW dla szkół i uczelni - wykład 8: Mikrofony 9. Edukacja w EdW dla szkół i uczelni - wykład 9: Źródła prądowe 10. Edukacja w EdW dla szkół i uczelni - wykład 10: Wszystko o kondensatorach 11. Edukacja w EdW dla szkół i uczelni - wykład 11: Ujemne sprzężenie zwrotne i historia wzmacniaczy operacyjnych 12. Edukacja w EdW dla szkół i uczelni - wykład 12: Tranzystory MOSFET 13. Edukacja w EdW dla szkół i uczelni - wykład 13: Elementy o nieliniowej rezystancji 14. Edukacja w EdW dla szkół i uczelni - wykład 15: Obwody mostkowe 15. Edukacja w EdW dla szkół i uczelni - wykład 16: Wzmacniacze jedno- i dwutranzystorowe 16. Edukacja w EdW dla szkół i uczelni - wykład 17: Generatory sygnału na wzmacniaczach operacyjnych 17. Edukacja w EdW dla szkół i uczelni - wykład 18: Czujniki Halla 18. Edukacja w EdW dla szkół i uczelni - wykład 19: Czujniki ciśnienia 19. Edukacja w EdW dla szkół i uczelni - wykład 20: Oscylatory 20. Edukacja w EdW dla szkół i uczelni - wykład 21: Czujniki temperatury 21. Edukacja w EdW dla szkół i uczelni - wykład 22: Konwersja analogowo-cyfrowa 22. Edukacja w EdW dla szkół i uczelni - wykład 23: Filtry dolnoprzepustowe
Rozwiń cały spis treści Zwiń spis treści

Temat wykładu dotyczy elementów półprzewodnikowych przeznaczonych do pracy z dużymi mocami. Z reguły chodzi o pracę przełącznikową jako niesterowane lub sterowane klucze, czyli elementy o dwóch stanach pracy: przewodzenie, nieprzewodzenie. Określenie duże moce jest bardzo szerokie, oznacza prądy w stanie przewodzenia od kilku amperów do kiloamperów i napięcia w stanie blokowania od kilkuset woltów do kilowoltów. A moce w obwodach sterowanych tymi kluczami mogą się mieścić w przedziale od watów do setek megawatów. Celem tego wykładu jest uporządkowanie podstawowej wiedzy o rodzajach półprzewodnikowych elementów mocy, w kontekście określonych segmentów ich zastosowań w energoelektronice.

Współczesna elektronika kojarzy nam się przede wszystkim z układami scalonymi zawierającymi miliony, a nawet miliardy tranzystorów. Przyzwyczajeni też jesteśmy do myśli, że postęp w elektronice wyznacza prawo Moore’a, czyli coraz większa skala integracji, coraz mniejszych wymiarowo tranzystorów, pobierających coraz mniejsze moce i zasilanych coraz mniejszym napięciem. W tym kontekście może się wydawać, że temat tego wykładu dotyczy peryferyjnej dziedziny elektroniki, a może nawet już nie elektroniki, ale elektryki. Zgoda, jest to część elektroniki (nazywana energoelektroniką), która operuje dużymi mocami, prądami i napięciami, czyli wkracza na teren elektryki. Nie ma jednak zgody na twierdzenie, że jest to peryferyjna dziedzina elektroniki. Przeciwnie, w świetle wyzwań, jakie stoją przed światem walczącym o zeroemisyjną cywilizację, energoelektronika ma do odegrania kluczową role. Znaczenie elektroniki mocy, opartej na aplikacjach półprzewodnikowych elementów mocy, będzie z roku na rok coraz większe. Ponieważ ten cykl wykładów jest adresowany głównie do studentów i uczniów, przyszłych profesjonalnych elektroników, to temat tego wykładu nie jest dla nich peryferyjny, gdyż dotyczy strategicznie kluczowego sektora gospodarki, w którym wielu z nich znajdzie zatrudnienie.

Zachowamy tradycyjną strukturę wykładu, tj. podział na dwie części: historyczną i merytoryczną. Ze względu na dużą różnorodność elementów ograniczymy się tylko do ich krótkich prezentacji. Jest to wykład przeglądowy, prezentujący półprzewodniki mocy w ujęciu panoramicznym. Na opisy pasjonującego świata elektronów i dziur, na wyjaśnienie jak działają poszczególne elementy mocy, przyjdzie czas innym razem.

Pierwszymi elementami prostującymi prąd przemienny, stosowanymi w sieciach wysokonapięciowych prądu stałego, były lampy rtęciowe. Wynalezione w 1914 roku, dominowały w latach 1920–1940. Koniec ich zastosowań nastąpił dopiero w połowie lat siedemdziesiątych, gdy ostatecznie zostały wyparte przez elementy półprzewodnikowe, głównie tyrystory. Pierwszymi półprzewodnikowymi elementami prostowniczymi znacznej mocy były diody kuprytowe (z tlenku miedzi – 1927 r.) i selenowe (1933 r.). To jednak zamierzchła prehistoria, o diodach kuprytowych i selenowych już dawno nikt nie pamięta. Za punkt startu współczesnej historii elementów półprzewodnikowych mocy możemy uznać rok 1952, gdy pojawiły się na rynku diody germanowe blokujące napięcie do 200 V i przewodzące prądy do 35 A. Od tego momentu zaczynamy kreślić naszą historyczną oś czasu. Daty przypisane poszczególnym wdrożeniom na tym wykresie należy traktować jako przybliżone, gdyż w wielu przypadkach wprowadzenie na rynek nowego produktu to proces rozciągnięty w czasie i wybór konkretnej daty zależy od przyjętego kryterium. Już druga pozycja na osi czasu może być dyskusyjna.

Już w roku 1952 produkowano tranzystory germanowe o prądzie kolektora do 100 mA i taki tranzystor w niektórych zastosowaniach (na przykład we wzmacniaczu słuchawkowym) był nazywany tranzystorem mocy. W naszej opowieści nie o takie moce chodzi, więc przesuwamy datę na osi czasu do roku 1954, gdy pojawiły się tranzystory Ge o mocy 100 W.

Już wtedy wiadomo było, że lepsze pod względem osiąganych mocy będą tranzystory krzemowe, jak tylko zostanie opanowana technologia ich wytwarzania. Wynika to z modelu pasmowego półprzewodników, a dokładniej z szerokości pasma zabronionego Wg. Dla Ge Wg=0,7 eV i maksymalna dopuszczalna temperatura złącza p-n wynosi 85°C, natomiast dla Si Wg=1,12 eV, co przekłada się na znacznie wyższą temperaturę pracy złącza p-n, wynoszącą aż 155°C. Jak już jesteśmy przy tym temacie, to spójrzmy na tablicę 1. Zobaczymy, że są materiały o jeszcze szerszym paśmie zabronionym (tzw. półprzewodniki szerokopasmowe – GaN, SiC), które mogą pracować przy jeszcze wyższych temperaturach złącza p-n. Stąd z tymi materiałami od dziesiątków lat łączono duże nadzieje na postęp w elektronice mocy. W ostatnich latach te nadzieje zaczynają się spełniać. Ale zajmijmy się naszą osią czasu, a do tematu elementów z półprzewodników innych niż krzem jeszcze wrócimy.

Tablica 1. Porównanie niektórych właściwości trzech materiałów półprzewodnikowych stosowanych do wytwarzania elementów mocy

Bipolarne tranzystory krzemowe pojawiły się na rynku w roku 1957 i już w latach pięćdziesiątych osiągały większe moce niż tranzystory germanowe. W rozwoju bipolarnych tranzystorów krzemowych mocy odnotujmy na osi czasu dwa wydarzenia: rok 1970 – tranzystor o parametrach 500 V/20 A (firma Delco Electronics) i rok 1975 – Toshiba Giant Transistor o parametrach 300 V/400 A. To prawdziwy gigant.

Wróćmy jeszcze do lat pięćdziesiątych. Pamiętamy zapewne z ostatniego wykładu, że W. Shockley od początku lat pięćdziesiątych intensywnie pracował nad strukturą czterowarstwową n-p-n-p. Wreszcie w roku 1957 firma General Electric wdrożyła do produkcji ten element pod nazwą SCR- Silicon Controlled Rectifier, znany powszechnie jako tyrystor, również w odmianach o nazwach diak, triak. Wadą tyrystora jest „zatrzaskiwanie się” (lutch-on), tj. po przejściu w stan przewodzenia nie może być wyłączony sygnałem podanym na bramkę, wyłącza się dopiero po wyłączeniu napięcia zasilania. W roku 1960 opracowano tyrystor przełączany sterowaniem bramki ze stanu przewodzenia do stanu blokowania. Ten rodzaj tyrystora nazwano GTO (Gate Turn-Off).

Dotychczas opisywaliśmy rozwój elementów mocy wywodzących się ze struktury tranzystora bipolarnego. W latach sześćdziesiątych pojawiła się druga ścieżka rozwoju elementów mocy, wywodząca się ze struktury tranzystora MOS. I to był przełom. Uprościło się sterowanie bramką, wzrosły częstotliwości pracy i otworzyły się możliwości zwiększania zakresu natężenia prądu przez łączenie równoległe elementów. Pierwsze MOSFETy mocy pojawiły się już w latach siedemdziesiątych. Zaznaczmy na osi czasu rok 1978 – International Rectifier wprowadza na rynek MOSFET mocy o parametrach 400 V/25 A.

Z czasem MOSFETy mocy zdominowały rynek. Obecnie są najczęściej stosowanymi elementami mocy. Wielką rolę odgrywa też struktura hybrydowa tranzystora bipolarnego ze sterowaniem bramką odizolowaną od półprzewodnika – IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), obecny na rynku od połowy lat osiemdziesiątych. Dalszy rozwój półprzewodników mocy przebiegał głównie w kierunku opracowywania modułów integrujących w jednej obudowie kilka elementów mocy i układ sterujący – smart modules (moduły inteligentne)oraz w kierunku zastąpienia Si przez półprzewodniki szerokopasmowe SiC, GaN. Pierwsze eksperymentalne tranzystory polowe z GaN zademonstrowano w 1993 r., a na rynku są dostępne od 2010 roku. W tym samym czasie obserwujemy początki elementów mocy z SiC. W roku 1993 opracowano laboratoryjnie diody Schottky z SiC, w 2008 roku pojawiły się na rynku JFET o napięciu 1200 V, a w 2011 były dostępne pierwsze MOSFETy z SiC o napięciu 1200 V.

Aby przeczytać ten artykuł kup e-wydanie
Kup teraz
1. Edukacja w EdW dla szkół i uczelni - wykład 1: Od mikroprocesorów do mikrokontrolerów 2. Edukacja w EdW dla szkół i uczelni - wykład 2: Układy scalone 3. Edukacja w EdW dla szkół i uczelni - wykład 3: Tranzystory 4. Edukacja w EdW dla szkół i uczelni - wykład 4: Półprzewodniki mocy 5. Edukacja w EdW dla szkół i uczelni - wykład 5: Diody elektroluminescencyjne (Light Emitting Diodes) 6. Edukacja w EdW dla szkół i uczelni - wykład 6: Transoptory 7. Edukacja w EdW dla szkół i uczelni - wykład 7: Monochromatyczne wyświetlacze LCD 8. Edukacja w EdW dla szkół i uczelni - wykład 8: Mikrofony 9. Edukacja w EdW dla szkół i uczelni - wykład 9: Źródła prądowe 10. Edukacja w EdW dla szkół i uczelni - wykład 10: Wszystko o kondensatorach 11. Edukacja w EdW dla szkół i uczelni - wykład 11: Ujemne sprzężenie zwrotne i historia wzmacniaczy operacyjnych 12. Edukacja w EdW dla szkół i uczelni - wykład 12: Tranzystory MOSFET 13. Edukacja w EdW dla szkół i uczelni - wykład 13: Elementy o nieliniowej rezystancji 14. Edukacja w EdW dla szkół i uczelni - wykład 15: Obwody mostkowe 15. Edukacja w EdW dla szkół i uczelni - wykład 16: Wzmacniacze jedno- i dwutranzystorowe 16. Edukacja w EdW dla szkół i uczelni - wykład 17: Generatory sygnału na wzmacniaczach operacyjnych 17. Edukacja w EdW dla szkół i uczelni - wykład 18: Czujniki Halla 18. Edukacja w EdW dla szkół i uczelni - wykład 19: Czujniki ciśnienia 19. Edukacja w EdW dla szkół i uczelni - wykład 20: Oscylatory 20. Edukacja w EdW dla szkół i uczelni - wykład 21: Czujniki temperatury 21. Edukacja w EdW dla szkół i uczelni - wykład 22: Konwersja analogowo-cyfrowa 22. Edukacja w EdW dla szkół i uczelni - wykład 23: Filtry dolnoprzepustowe
Rozwiń cały spis treści Zwiń spis treści
Firma:
Tematyka materiału: półprzewodnikowe elementy mocy, prawo Moore’a, tyrystor, dioda kuprytowa, dioda selenowa, Dioda Ge, Tranzystor bipolarny Ge, BJT, Bipolar Junction Transistor, SCR, Silicon Controlled Rectifier, Tyrystor GTO, Tranzystor bipolarny, Toshiba Giant Transistor, MOSFET, Hitachi, Mitsubishi, Toshiba, International Rectifier, IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor, General Electric, Siemens, Power Components, Smart Power Devices, Thomson, SiC, GaN, Delco Electronics, Dioda Schottky’ego, diak, triak
AUTOR
Źródło
Elektronika dla Wszystkich marzec 2023
Udostępnij
Zobacz wszystkie quizy
Quiz weekendowy
Czujniki temperatury
1/10 Temperatura to
Oceń najnowsze wydanie EdW
Wypełnij ankietę i odbierz prezent
W tym numerze znajdziesz źródłową wersję artykułu publikowanego obok
Elektronika dla Wszystkich
marzec 2023
Elektronika dla Wszystkich
Przejrzyj i kup
UK Logo
Elektronika dla Wszystkich
Zapisując się na nasz newsletter możesz otrzymać GRATIS
najnowsze e-wydanie magazynu "Elektronika dla Wszystkich"