Serwisy partnerskie:
Close icon
Serwisy partnerskie

Zrozumieć tranzystory bipolarne, część 2

W poprzedniej części, w odpowiedzi na starsze i nowsze zapytania na forum EEWeb, rozpoczęliśmy analizę możliwych konfiguracji pracy tranzystorów bipolarnych – o wspólnym emiterze, o wspólnej bazie i o wspólnym kolektorze. Są to trzy architektury układów, w których używane są tranzystory i na których opierają się między innymi wzmacniacze. W tym miesiącu przyjrzymy się szczegółowo wzmacniaczowi ze wspólnym emiterem, ale nasze rozważania na temat podstaw polaryzacji tranzystorów i wykorzystania modeli do analizy obwodów będą odnosić się do pracy we wszystkich konfiguracjach.
Article Image

Podstawowe koncepcje konfiguracji tranzystorów są przedstawione na rysunku 1. Nie są to dokładne schematy obwodów, a jedynie ilustracje ustawienia wyprowadzeń tranzystora w obwodach każdego typu i odnoszą się zarówno do tranzystorów NPN jak i PNP. 

Rysunek 1. Konfiguracje tranzystorów – dotyczą one zarówno tranzystorów NPN, jak i PNP. Rzeczywiste układy wymagają dodatkowych elementów.

Wspólny emiter

Najbardziej elementarna implementacja wzmacniacza oparta na tranzystorze NPN w konfiguracji ze wspólnym emiterem jest pokazana na rysunku 2.

Rysunek 2. Prosty wzmacniacz w układzie wspólnego emitera. 

Wykorzystuje ona architekturę przedstawioną na rysunku 1 z dodanym rezystorem (R1) między kolektorem a zasilaniem. Połączenie z zasilaniem jest niezbędne – wzmacniacze wykorzystują bowiem energię ze źródła zasilania, aby wytworzyć sygnały wyjściowe o większej mocy niż ich sygnał wejściowy. Rezystor kolektorowy zamienia również zmienny prąd kolektora (z wyjścia tranzystora) na zmienne napięcie kolektora. Mówiąc dokładniej, zmiana napięcia wejściowego, równego VBE tranzystora, spowoduje zmianę prądu kolektora (IC), co z kolei spowoduje zmianę spadku napięcia na R1, a więc zmianę napięcia wyjściowego. W poprzedniej części omówiliśmy teorię działania tranzystorów oraz modele wykorzystywane w obliczeniach, symulacjach i projektowaniu obwodów. Omówiliśmy uproszczony model Ebersa-Molla dla tranzystora oraz zależność między prądem emitera a napięciem baza-emiter.

Aby przeczytać ten artykuł kup e-wydanie
Kup teraz
Firma:
Tematyka materiału: TRANZYSTOR, KONDUKTANCJA, PRAWO OHMA, PRAWO KIRCHHOFFA, REZYSTANCJA DYNAMICZNA EMITERA, TRANZYSTOR BIPOLARNY, WSPÓLNA BAZA, WSPÓLNY EMITER, WSPÓLNY KOLEKTOR, NP, PN, NPN, PNP, DIODA, MODEL EBERSA-MOLLA, TRANSKONDUKTANCJA, STAŁA BOLTZMANNA, ŁADUNEK ELEKTRONU, KIERUNEK ZAPOROWY, JEWELL JAMES EBERS, JOHN LOUIS MOLL, MODEL GUMMELA-POONA
AUTOR
Źródło
Elektronika dla Wszystkich wrzesień 2022
Udostępnij
Oceń najnowsze wydanie EdW
Wypełnij ankietę i odbierz prezent
Kursy kategorie
AI-Sztuczna Inteligencja
Aparatura
Arduino Audio Automatyka
CNC
DIY
Druk 3d
Elektromechanika Fotowoltaika
FPGA-CPLD-SPLD
GPS
IC-układy scalone
Interfejsy
IoT
Książki
Lasery
LED/LCD/OLED
Mechatronika
Mikrokontrolery (MCV,μC)
Moc
Moduły
Narzędzia
Optoelektronika
PCB/Montaż
Podstawy elektroniki
Podzespoły bierne
Półprzewodniki
Pomiary i testy Projektowanie Raspberry Pi
Retro
Komunikacja, RF
Robotyka
SBC-SIP-SoC-CoM
Sensory
Silniki i serwo Software
Sterowanie
Transformatory
Tranzystory
Wyświetlacze
Wzmacniacze
Zasilanie
W tym numerze znajdziesz źródłową wersję artykułu publikowanego obok
Elektronika dla Wszystkich
wrzesień 2022
Elektronika dla Wszystkich
Przejrzyj i kup
UK Logo
Elektronika dla Wszystkich
Zapisując się na nasz newsletter możesz otrzymać GRATIS
najnowsze e-wydanie magazynu "Elektronika dla Wszystkich"