Zrozumieć tranzystory bipolarne, część 2

Ian Bell

Kursy

Tranzystory

1 września 2022

1585

W poprzedniej części, w odpowiedzi na starsze i nowsze zapytania na forum EEWeb, rozpoczęliśmy analizę możliwych konfiguracji pracy tranzystorów bipolarnych – o wspólnym emiterze, o wspólnej bazie i o wspólnym kolektorze. Są to trzy architektury układów, w których używane są tranzystory i na których opierają się między innymi wzmacniacze. W tym miesiącu przyjrzymy się szczegółowo wzmacniaczowi ze wspólnym emiterem, ale nasze rozważania na temat podstaw polaryzacji tranzystorów i wykorzystania modeli do analizy obwodów będą odnosić się do pracy we wszystkich konfiguracjach.

Poprzednia część

Spis treści

Następna część

1. Zrozumieć tranzystory bipolarne, część 1 2. Zrozumieć tranzystory bipolarne, część 2 3. Zrozumieć tranzystory bipolarne, część 3 4. Zrozumieć tranzystory bipolarne, część 4

Podstawowe koncepcje konfiguracji tranzystorów są przedstawione na rysunku 1. Nie są to dokładne schematy obwodów, a jedynie ilustracje ustawienia wyprowadzeń tranzystora w obwodach każdego typu i odnoszą się zarówno do tranzystorów NPN jak i PNP.

Rysunek 1. Konfiguracje tranzystorów – dotyczą one zarówno tranzystorów NPN, jak i PNP. Rzeczywiste układy wymagają dodatkowych elementów.

Wspólny emiter

Najbardziej elementarna implementacja wzmacniacza oparta na tranzystorze NPN w konfiguracji ze wspólnym emiterem jest pokazana na rysunku 2.

Rysunek 2. Prosty wzmacniacz w układzie wspólnego emitera.

Wykorzystuje ona architekturę przedstawioną na rysunku 1 z dodanym rezystorem (R1) między kolektorem a zasilaniem. Połączenie z zasilaniem jest niezbędne – wzmacniacze wykorzystują bowiem energię ze źródła zasilania, aby wytworzyć sygnały wyjściowe o większej mocy niż ich sygnał wejściowy. Rezystor kolektorowy zamienia również zmienny prąd kolektora (z wyjścia tranzystora) na zmienne napięcie kolektora. Mówiąc dokładniej, zmiana napięcia wejściowego, równego VBE tranzystora, spowoduje zmianę prądu kolektora (IC), co z kolei spowoduje zmianę spadku napięcia na R1, a więc zmianę napięcia wyjściowego. W poprzedniej części omówiliśmy teorię działania tranzystorów oraz modele wykorzystywane w obliczeniach, symulacjach i projektowaniu obwodów. Omówiliśmy uproszczony model Ebersa-Molla dla tranzystora oraz zależność między prądem emitera a napięciem baza-emiter.

Aby przeczytać ten artykuł kup e-wydanie

Kup teraz

Poprzednia część

Spis treści

Następna część

1. Zrozumieć tranzystory bipolarne, część 1 2. Zrozumieć tranzystory bipolarne, część 2 3. Zrozumieć tranzystory bipolarne, część 3 4. Zrozumieć tranzystory bipolarne, część 4

Firma:

Tagi: Tranzystory

Tematyka materiału: TRANZYSTOR, KONDUKTANCJA, PRAWO OHMA, PRAWO KIRCHHOFFA, REZYSTANCJA DYNAMICZNA EMITERA, TRANZYSTOR BIPOLARNY, WSPÓLNA BAZA, WSPÓLNY EMITER, WSPÓLNY KOLEKTOR, NP, PN, NPN, PNP, DIODA, MODEL EBERSA-MOLLA, TRANSKONDUKTANCJA, STAŁA BOLTZMANNA, ŁADUNEK ELEKTRONU, KIERUNEK ZAPOROWY, JEWELL JAMES EBERS, JOHN LOUIS MOLL, MODEL GUMMELA-POONA

AUTOR

Ian Bell

ZOBACZ WIĘCEJ ARTYKUŁÓW AUTORA