Serwisy partnerskie:
Close icon
Serwisy partnerskie

Tranzystory: Sterowanie MOSFET-ami cz.2 - Napięcie przebicia, rezystancja, straty

Pierwszą część artykułu zakończyliśmy rozważaniami dotyczącymi doboru MOSFET-ów. Były to jedynie elementarne informacje, ponieważ zagadnienie ma wiele aspektów, które bedziemy omawiac po kolei. Najpierw kwestia napięcia.
Article Image

Tranzystor o odpowiednim napięciu przebicia U(BR)DS

Dla porządku trzeba wspomnieć, że podane w katalogu napięcie przebicia U(BR)DS dotyczy temperatury struktury +25°C i (korzystnie) zwiększa się nieco ze wzrostem temperatury, jak pokazuje rysunek 9, dotyczący IRF540. W innych katalogach podany jest współczynnik cieplny napięcie U(BR)DS w (mili)woltach na stopień Celsjusza. Zmiany w pełnym zakresie temperatur są niewielkie, poniżej 15% i w praktyce nie ma to znaczenia.

Dziś nie jest problemem znalezienie MOSFET-ów o dużym napięciu dopuszczalnym U(BR)DS i jednocześnie o małej rezystancji RDSon. Jednak warto zachować umiar. I nie kopiować zwyczajów, związanych z tranzystorami bipolarnymi, któych dopuszczalne napięcie pracy (UCE0, UCES) dużo mniej wpływa na parametry i cenę niż w MOSFET-ach. Przykładem mogą być popularne BC546, BC547, BC548, różniące się praktycznie tylko napięciem pracy, gdzie napięcie UCE0 wynosi odpowiednio: 65V, 45V, 25V. Przy ponad 2,5-krotnej różnicy napięć (65V...

Aby pobrać e-wydanie zawierające ten artykuł wykup prenumeratę
Kup teraz
Tematyka materiału: MOSFET
AUTOR
Źródło
Elektronika dla Wszystkich luty 2020
Udostępnij
UK Logo
Elektronika dla Wszystkich
Zapisując się na nasz newsletter możesz otrzymać GRATIS
najnowsze e-wydanie magazynu "Elektronika dla Wszystkich"