Zaloguj się
Wszystkie
5 lutego 2020
2148
Tranzystor o odpowiednim napięciu przebicia U(BR)DS
Dla porządku trzeba wspomnieć, że podane w katalogu napięcie przebicia U(BR)DS dotyczy temperatury struktury +25°C i (korzystnie) zwiększa się nieco ze wzrostem temperatury, jak pokazuje rysunek 9, dotyczący IRF540. W innych katalogach podany jest współczynnik cieplny napięcie U(BR)DS w (mili)woltach na stopień Celsjusza. Zmiany w pełnym zakresie temperatur są niewielkie, poniżej 15% i w praktyce nie ma to znaczenia.
Dziś nie jest problemem znalezienie MOSFET-ów o dużym napięciu dopuszczalnym U(BR)DS i jednocześnie o małej rezystancji RDSon. Jednak warto zachować umiar. I nie kopiować zwyczajów, związanych z tranzystorami bipolarnymi, któych dopuszczalne napięcie pracy (UCE0, UCES) dużo mniej wpływa na parametry i cenę niż w MOSFET-ach. Przykładem mogą być popularne BC546, BC547, BC548, różniące się praktycznie tylko napięciem pracy, gdzie napięcie UCE0 wynosi odpowiednio: 65V, 45V, 25V. Przy ponad 2,5-krotnej różnicy napięć (65V...
NAPISZ DO AUTORA
Facebook
Twitter
Linkedin
Kup teraz
