Tranzystory: Sterowanie MOSFET-ami cz.1 - Właściwości, parametry, dobór

Piotr Górecki

Kursy

Podstawy elektroniki

10 stycznia 2020

5751

Według pierwotnych planów, w cyklu o tranzystorach powinniśmy zająć się budzącymi duże zaciekawienie przełączającymi tranzystorami SiC i GaN, czyli impulsowymi tranzystorami wykonanymi z węglika krzemu i azotku galu. Musimy jednak przerwać ten wątek, a to w związku z wynikami niektórych konkursów oraz prośbami Czytelników, którzy upominają się o materiał przedstawiający szczegóły sterowania najpopularniejszymi, klasycznymi tranzystorami MOSFET.

Poprzednia część

Spis treści

Następna część

1. Tranzystory: Sterowanie MOSFET-ami cz.1 - Właściwości, parametry, dobór 2. Tranzystory: Sterowanie MOSFET-ami cz.4 - Proces przełączania 3. Tranzystory: Sterowanie MOSFET-ami cz.2 - Napięcie przebicia, rezystancja, straty 4. Tranzystory: Sterowanie MOSFET-ami cz.3 - Straty cieplne podczas przełączania 5. Tranzystory: Sterowanie MOSFET-ami cz.5 - czasy przełączania i gate charge

Do tranzystorów SiC i GaN wrócimy, a wtedy bardzo przydatne okażą się też informacje na temat sterowania, ponieważ najbardziej interesujące tranzystory GaN zachowują się praktycznie tak samo jak klasyczne MOSFET-y, a co ważniejsze, takie same są też główne zasady sterowania nimi.

Podstawy sterowania MOSFET-ami

Każdy elektronik wie, że tranzystory bipolarne wymagają sterowania prądowego: sygnałem sterującym jest prąd bazy, a w liniowym zakresie pracy prąd kolektora jest proporcjonalnie większy od prądu bazy. Każdy elektronik wie też, że klasyczny MOSFET jest sterowany napięciowo. Do jego otwarcia potrzebne jest jakieś niewysokie napięcie między źródłem i bramką, rzędu kilku woltów.

Analiza wad i zalet tranzystorów bipolarnych w porównaniu do MOSFETów byłaby niewątpliwie interesująca i pouczająca, jednak pominiemy te kwestie. Fakty są takie, że po pierwsze dziś przytłaczająca większość tranzystorów nie pracuje w zakresie liniowym, tylko pełni funkcję przełączników załącz/ wyłącz.

...