Serwisy partnerskie:
Close icon
Serwisy partnerskie

Tranzystory: Sterowanie MOSFET-ami cz.4 - Proces przełączania

W tym odcinku zaczynamy omawiać proces przełączania tranzystorów MOSFET który wcale nie jest taki prosty, jak może się wydawać. Dlatego zaczniemy od pewnych uproszczeń.
Article Image

Uproszczony proces przełączania

Gdyby w strukturze MOSFET-a była tylko jedna pojemność, między bramką a źródłem, według rysunków 1 i 11, wtedy analiza byłaby prostsza.

Najłatwiej byłoby przyjąć, co zresztą ma uzasadnienie praktyczne, że generator impulsów – sterownik MOSFET-a, ma jakąś wydajność prądową, czyli jest odmianą źródła prądowego. Podczas impulsu prąd ładowałby pojemność wejściową MOSFET-a liniowo według rysunku 12a. Napięcie bramki UGS podczas przełączania również zmieniałoby się liniowo.

Można byłoby też przyjąć, co ma uzasadnienie praktyczne, że generator impulsów ma jakąś określoną rezystancję wyjściową, że każdy MOSFET ma jakąś niewielką wewnętrzna rezystancję bramki, więc mamy do czynienia z obwodem całkującym RC i że przebieg napięcia na bramce (UGS) ma charakterystyczny kształt, taki jak na każdym obwodzie RC – rysunek 12b.

Rys.12a Przebieg napięcia na bramce - liniowy i 12b z obwodem RC

Jak się okaże, nie taki kształt mają napięcia na bramce, a...

Aby pobrać e-wydanie zawierające ten artykuł wykup prenumeratę
Kup teraz
Tematyka materiału: MOSFET
AUTOR
Źródło
Elektronika dla Wszystkich kwiecień 2020
Udostępnij
UK Logo
Elektronika dla Wszystkich
Zapisując się na nasz newsletter możesz otrzymać GRATIS
najnowsze e-wydanie magazynu "Elektronika dla Wszystkich"