Zaloguj się
Wszystkie
21 kwietnia 2019
3361
Uproszczony proces przełączania
Gdyby w strukturze MOSFET-a była tylko jedna pojemność, między bramką a źródłem, według rysunków 1 i 11, wtedy analiza byłaby prostsza.
Najłatwiej byłoby przyjąć, co zresztą ma uzasadnienie praktyczne, że generator impulsów – sterownik MOSFET-a, ma jakąś wydajność prądową, czyli jest odmianą źródła prądowego. Podczas impulsu prąd ładowałby pojemność wejściową MOSFET-a liniowo według rysunku 12a. Napięcie bramki UGS podczas przełączania również zmieniałoby się liniowo.
Można byłoby też przyjąć, co ma uzasadnienie praktyczne, że generator impulsów ma jakąś określoną rezystancję wyjściową, że każdy MOSFET ma jakąś niewielką wewnętrzna rezystancję bramki, więc mamy do czynienia z obwodem całkującym RC i że przebieg napięcia na bramce (UGS) ma charakterystyczny kształt, taki jak na każdym obwodzie RC – rysunek 12b.
Jak się okaże, nie taki kształt mają napięcia na bramce, a...
Facebook
Twitter
Linkedin
Kup teraz
