Tranzystory: Sterowanie MOSFET-ami cz.5 - czasy przełączania i gate charge

Piotr Górecki

Kursy

Podstawy elektroniki

1 czerwca 2020

2229

W poprzednich odcinkach omówiliśmy elementarne informacje dotyczące pracy MOSFET-ów w roli przełączników. Wiemy, że aby minimalizować straty mocy związane z przełączaniem, należy skracać czas przełączania. Przeszkodą są wewnętrzne pojemności MOSFET-a, a w szczególności pojemność C_GD występująca między bramką i drenem. Przypomnijmy, że to właśnie pojemność C_GD jest powodem wystąpienia „schodka” w przebiegu napięcia bramki. Obecność tego schodka jest nieunikniona, a problem polega na tym, ile czasu będzie on trwał? To on wyznacza czasy przełączania i tak interesującą nas moc strat cieplnych. Musimy to zbadać dokładniej.

Poprzednia część

Spis treści

Następna część Toc right icon

1. Tranzystory: Sterowanie MOSFET-ami cz.1 - Właściwości, parametry, dobór 2. Tranzystory: Sterowanie MOSFET-ami cz.4 - Proces przełączania 3. Tranzystory: Sterowanie MOSFET-ami cz.2 - Napięcie przebicia, rezystancja, straty 4. Tranzystory: Sterowanie MOSFET-ami cz.3 - Straty cieplne podczas przełączania 5. Tranzystory: Sterowanie MOSFET-ami cz.5 - czasy przełączania i gate charge

Czasy przełączania - sterowanie MOSFET-ami

MOSFET nie otwiera się natychmiast po rozpoczęciu impulsu przełączania. Na pewno czas po rozpoczęciu impulsu otwierającego można podzielić na czas opóźnienia oraz czas przełączania, co w uproszczony sposób pokazane jest na rysunku 1a. Podkładka jasnozielona pokazuje czas opóźnienia, jaki upływa od rozpoczcia impulsu otwierającego do momentu , gdy tranzystor rzeczywiście zaczyna się otwierać Faza właściwego przełączania została wyróżniona żółtą podkładką. Mamy więc dwa interesujące nas czasy: