Serwisy partnerskie:
Close icon
Serwisy partnerskie

Tranzystory: Sterowanie MOSFET-ami cz.3 - Straty cieplne podczas przełączania

W poprzednim odcinku omówiliśmy pracę MOSFET-a w roli przełącznika – klucza oraz straty, związane z wydzielaniem się ciepła w rezystancji otwartego tranzystora (P = I2 * RDSon). Ale starty cieplne występują też podczas przełączania. Wtedy daje o sobie znać wpływ wewnętrznych pojemności MOSFET-a.
Article Image

Przeładowanie pojemności

Na początek trzeba raz na zawsze wyjaśnić pewien drobny, ale istotny szczegół. Otóż przyczyną strat przełączania są wewnętrzne pojemności, ale zwykle nie jest problemem energia i moc potrzebna do samego przeładowania tych pojemności. Straty powstają gdzie indziej, o czym za chwilę.

Rys.1 Model włączania tranzystora

Do naładowania pojemności potrzebna jest jakaś porcja energii. W uproszczonym modelu z rysunku 1, aby włączyć (otworzyć) tranzystor, musimy naładować pojemność CG ze źródła o napięciu UG. Aby go wyłączyć, musimy rozładować pojemność CG.

Nie wchodząc w szczegóły, przy takim cyklicznym przeładowywaniu pojemności, ze źródła zasilania (+UG) pobierana jest moc zależna od pojemności, napięcia i częstotliwości przełączania, a niezależna od rezystancji RG:

P = CG * (UG)2 * f

Po pierwsze moc ta jest w praktyce niewielka. Możemy policzyć moc dla w miarę realnych wartości: pojemności równej 5nF, napięcia 10V i częstotliwości 100kHz:

P = 5*10...

Aby pobrać e-wydanie zawierające ten artykuł wykup prenumeratę
Kup teraz
Tematyka materiału: MOSFET
AUTOR
Źródło
Elektronika dla Wszystkich marzec 2020
Udostępnij
UK Logo
Elektronika dla Wszystkich
Zapisując się na nasz newsletter możesz otrzymać GRATIS
najnowsze e-wydanie magazynu "Elektronika dla Wszystkich"