Okazuje się, że znaczące zmodyfikowanie wnętrza półprzewodnikowej struktury pozwala w istotny sposób poprawić właściwości MOSFETów wysokonapięciowych.
Super Junction MOSFET - budowa i działanie
Koncepcja nazywana Super Junction (superzłącza) została opracowana w ostatnich latach XX wieku. Rysunek 1 pokazuje w uproszczeniu różnicę budowy wewnętrznej i uzyskiwane zmniejszenie rezystancji.
Kluczem jest wytworzenie w strukturze dość głębokich „kolumn”, co nie jest łatwe, a do czego obecnie wykorzystuje się głównie albo technikę wielokrotnej epitaksji (multiple epitaxy) lub technikę trawienia „głębokich rowów” (deep trench) – rysunek 2. Te „kolumny” nie pozwalają nośnikom prądu „uciekać na boki” i zapewniają jednolity rozkład pola elektrycznego na długości (zamkniętego, nieprzewodzącego) kanału, przez co kanał może być krótszy i mieć mniejszą rezystancję podczas przewodzenia.