Serwisy partnerskie:
Close icon
Serwisy partnerskie

Tranzystory: historia i współczesność, część 7. HEMT, HFET, MODFET i tranzystory GaAs

W poprzednim odcinku omawialiśmy mikrofalowe tranzystory dużej mocy. Opowieść zakończyliśmy na tym, że rozwinięciem i popularną dziś odmianą tranzystora MESFET jest HEMT – High Electron Mobility Transistor. Jego inna, nieco mniej strasząca nazwa to HFET (Heterostructure FET) oraz MODFET (Modulation-Doped FET).
Article Image

HEMT, podobnie jak MESFET, to tranzystor polowy zawierający w swej strukturze złącze Schottky’ego, a ponadto inne dodatkowe warstwy. Pierwszy tranzystor HEMT zademonstrowano w roku 1979. Wiązało się to z badaniami nad strukturami, w których występował tak zwany dwuwymiarowy gaz elektronowy (2-dimensional electron gas – w skrócie 2DEG).

Obecność tych specyficznych struktur z „bardzo szybkim” gazem elektronowym pozwala zdecydowanie zwiększyć szybkość tranzystorów. Najpierw były to tranzystory z GaAs/AlGaAs (ślady też można znaleźć na stronie http://www.northropgrumman.com). Potem w kanale dodano warstwę InGaAs. Powstały odmiany, zwane pHEMT (pseudomorphic HEMT), zawierające dodatkowe warstwy, przyspieszające ruch elektronów. W efekcie pHEMT teoretycznie mogą pracować przy częstotliwościach ok. 100GHz.

Rys.1 Tranzystor GaAs pHEMT - 10-watowy Freescale MRFG35010AR1

Przykładem tranzystora GaAs pHEMT mocy może być 10-watowy Freescale MRFG35010AR1 o napięciu maksymalnym 15...

Aby pobrać e-wydanie zawierające ten artykuł wykup prenumeratę
Kup teraz
Tematyka materiału: HEMT, HFET, MODFET, tranzystory GaAs
AUTOR
Źródło
Elektronika dla Wszystkich lipiec 2019
Udostępnij
UK Logo
Elektronika dla Wszystkich
Zapisując się na nasz newsletter możesz otrzymać GRATIS
najnowsze e-wydanie magazynu "Elektronika dla Wszystkich"