Nieduży, funkcjonalny sterownik DGD0579U firmy Diodes Incorporated dla tranzystorów MOSFET z kanałami typu N

Jakub Tyburski

Blog

IC-układy scalone

17 lutego 2022

418

Diodes Incorporated

W ofercie firmy Diodes Incorporated pojawił się nowy, wyposażony w diodę bootstrap układ DGD0579U obsługujący 2 tranzystory MOSFET z kanałami typu N w konfiguracji half-bridge, którą można spotkać m.in. przy sterowaniu silnikami prądu stałego. Dzięki czasom propagacji 60 ns i kompensacji opóźnień poniżej 10 ns, razem zwiększającym szybkość przełączania DGD0579U, układ ten jest dedykowany takim zastosowaniom jak: bezprzewodowe elektronarzędzia, rowery elektryczne oraz autonomiczne roboty, którym potrzeba wydajnego zarządzania mocą. Skrócony czas martwy i obudowa W-DFN3030-10 o wymiarach: 3×3×0,75 mm są istotnymi cechami wspomnianego układu. Mniejsze i efektywniejsze systemy zasilania są z DGD0579U w pełni gwarantowane.

Schemat DGD0579U

Dostępne w układzie mechanizmy ochrony tranzystorów z początku całkowicie sprzyjają zadaniom stawianym DGD0579U, zwiększając z jednej strony niezawodność rozwiązań, a z drugiej zmniejszając liczbę podzespołów na płytkach PCB. W szczególności blokada napięciowa UVLO i zabezpieczenie przed efektem „cross conduction” stanowią przywołaną ochronę. Wszystko to przy poborze prądu do 1 μA oraz wyprowadzeniu EN (Enable) włączającym i wyłączającym układ, które jest przydatne przy zasilaniu z baterii.

Sposób użycia DGD0579U

Podawane na wejściach danych napięcia muszą być zgodne z opartymi na standardzie 3,3 V poziomami logicznymi. Korzystające z technologii: CMOS i TTL mikrokontrolery oraz matryce programowalne, w tym FPGA i CPLD są DGD0579 pisane. Zakres temperatury pracy układu wynosi od -40 do 125°C. Układ ten sprawdza się w różnych warunkach - poniżej jego dokumentacja.

Wyprowadzenia DGD0579U

Więcej informacji pod adresami: link 1 i link 2

DATA SHEET

Do pobrania

Dokumentacja sterownika DGD0579U

Dokumentacja obudowy sterownika DGD0579U

Notka aplikacyjna sterownika BAW101 poruszająca sposoby jego lutowania

Firma: Diodes Incorporated

Tagi: Tranzystory Układy scalone

Tematyka materiału: DGD0579U, Diodes Incorporated, kanał typu N, konfiguracja half-bridge, MOSFET, W-DFN3030-10

AUTOR

Jakub Tyburski

ZOBACZ WIĘCEJ ARTYKUŁÓW AUTORA

Źródło

www.diodes.com

Udostępnij

Facebook

Twitter

Zobacz wszystkie quizy

Quiz weekendowy

Edukacja

Oceń najnowsze wydanie EdW

Wypełnij ankietę i odbierz prezent

Blog kategorie

Podzespoły bierne AI-Sztuczna Inteligencja Aparatura Arduino Audio Automatyka Ciekawostki CNC DIY Druk 3d Elektromechanika Felietony Fotowoltaika FPGA/CPLD/SPLD GPS IC-układy scalone Interfejsy IoT Koła Naukowe Komputery Książki Lasery LED/LCD/OLED Mechatronika Mikrokontrolery (MCU,μC) Moc Moduły Narzędzia Optoelektronika PCB/Montaż Podstawy elektroniki Podzespoły bierne Półprzewodniki Pomiary i testy Projektowanie Raspberry Pi Retro Komunikacja, RF Robotyka SBC/SIP/SoC/COM Sensory Silniki i serwo Software Sterowanie Transformatory Tranzystory Wyświetlacze Wzmacniacze Zasilanie