Serwisy partnerskie:
Close icon
Serwisy partnerskie

TPH9R00CQ5: powstały w procesie technologicznym U-MOSX-H tranzystor MOSFET firmy Toshiba, który zawiera kanał typu n

Article Image
Rezystancja Rds(on) tranzystora TPH9R00CQ5 wynosi 9-11 mΩ. Jego napięcie Vdss to najwięcej 150 V. Ma to miejsce przy prądzie Id, który sięga: 64 A. Rozmiary tranzystora TPH9R00CQ5 są równe 4,9×6,1×1 mm. Obudową TPH9R00CQ5 jest SOP Advance lub SOP Advance(N).

Niezastąpiony tranzystor TPH9R00CQ5 pracuje w maksymalnej temperaturze 175°C. Istotne poziomy jego ładunków są następujące: Qg= 44 nC, Qsw=11,7 nC, Qoss=87 nC czy Qrr=34 nC. Ma to miejsce przy pojemności Ciss poniżej: 3,5 nF. Czas trr dla tranzystora TPH9R00CQ5 to 40 ns. Zastosowaniami tranzystora są np.: aplikacje prostowania synchronicznego. Można go stosować w zasilaczach impulsowych w celu podwyższenia ich sprawności energetycznej. W szczególności centrach danych i stacjach bazowych są tranzystorowi TPH9R00CQ5 pisane.

Więcej informacji pod adresami: link 1 i link 2 oraz na poniższej dokumentacji.

DATA SHEET
Wideo
Do pobrania
Download icon Dokumentacja TPH9R00CQ5
Firma: Toshiba
Tematyka materiału: ładunki elektryczne, MOSFET, SOP, Toshiba, TPH9R00CQ5, U-MOSX-H
AUTOR
Źródło
news.toshiba.com
Udostępnij
Zobacz wszystkie quizy
Quiz weekendowy
Theremin
1/10 Lew Termen i Leon Theremin to ta sama osoba. Które nazwisko pojawiło się później?
UK Logo
Elektronika dla Wszystkich
Zapisując się na nasz newsletter możesz otrzymać GRATIS
najnowsze e-wydanie magazynu "Elektronika dla Wszystkich"