Zaloguj się
Wszystkie
7 marca 2023
511
Gembara
Z fizyki ciała stałego wynikają wartości współczynnika wzmocnienia tranzystora, których niestety nie da się przesunąć. Niejako pomimo tej wiedzy, potrzeba posiadania elementu o bardzo dużym wzmocnieniu była tak istotna, że powstało proste rozwiązanie. Tranzystor Darlingtona to element zawierający dwa tranzystory (w opisie patentowym Sidneya Darlingtona zastrzeżona jest idea dwóch lub trzech tranzystorów połączonych kaskadowo i umieszczonych w jednej obudowie) połączone kaskadowo, jak na ilustracji tytułowej. Taki układ ma wzmocnienie będące w przybliżeniu iloczynem wzmocnień tych dwóch tranzystorów.
Tytułowy tranzystor to para tranzystorów NPN połączonych w układzie Darlingtona umieszczona w małej obudowie TO92. Wygląd elementu i przypisanie sygnałów jest przedstawione na ilustracji 1.
Podstawowe parametry tego elementu to:
- maksymalny prąd kolektora (IC) to 1 A,
- napięcie kolektor-emiter (VCEO) wynosi 25 V,
- napięcie kolektor-baza (VCBO) może sięgać 25 V,
- napięcie emiter-baza (VEBO) nie może być większe niż 12 V,
- maksymalna dopuszczalna temperatura złącza (TJ) to 150°C.
Komplet parametrów znajdziemy w dołączonej do artykułu karcie katalogowej; ze względu na specyfikę tego elementu należy tu przytoczyć wartość wzmocnienia.
Współczynnik hFE wynosi nie mniej niż:
- 7000 (pomiar dla VCE = 5,0 V, IC = 2,0 mA),
- 20000 (pomiar dla VCE = 5,0 V, IC = 100 mA).
Liczby potwierdzają założenia; to jest “tranzystor o bardzo dużym wzmocnieniu”; dla tego typu “zwyczajnego” tranzystora bipolarnego parametr ten ma wartość rzędu 250. Trzeba jednak pamiętać, że w tranzystorze Darlingtona prąd w obwodzie kolektora IC nie płynie przez jedno złącze, on płynie przez dwa złącza. Znajduje to potwierdzenie w wartości napięcia nasycenia (VCE,sat), które wynosi około 1,5 V. Oznacza to, że ten tranzystor grzeje się z mocą dwa razy większą niż “typowy” tranzystor pracujący przy tym samym prądzie kolektora.
Karta katalogowa
NAPISZ DO AUTORA
Facebook
Twitter
Linkedin
Kup teraz
