Serwisy partnerskie:
Close icon
Serwisy partnerskie

RA1C030LD: najnowszy tranzystor MOSFET firmy ROHM Semiconductor

Niedawno firma ROHM Semiconductor zaprezentowała tranzystor MOSFET o nazwie: RA1C030LD. Ten określony wymiarami: 1×0,6×0,22 mm element definiuje rezystancja włączenia 80-140 mΩ. Nowy tranzystor zapewnia prąd drenu 3 A. Między jego drenem i źródłem może występować napięcie co najmniej 20 V.
Article Image

Dostępny w obudowie: DSN1006-3 tranzystor RA1C030LD oferuje spory stopień rozpraszania ciepła. Jest to możliwe dzięki opatentowanej technologii wytwarzania podzespołów od ROHM Semiconductor. Temperatura pracy tranzystora uwzględnia zakres wartości: od -55 do 150°C. Tranzystor RA1C030LD wyróżnia się właściwym parametrem: Rds(on)·Qgd. Jego przemyślana konstrukcja obniża ryzyko występowania zwarć między nim, a komponentami miniaturowych rozwiązań. Zapewnia to bezpieczną pracę tym rozwiązaniom. Tranzystor RA1C030LD powstał z myślą o cienkich i kompaktowych urządzeniach takich jak: smartfony bądź bezprzewodowe wkładki douszne.

Więcej informacji pod adresami: link 1 i link 2 oraz na poniższych materiałach.

Wartość parametru Rds(on)·Qgd tranzystora RA1C030LD (kolor czerwony)
Własności obudowy DSN1006-3 tranzystora RA1C030LD
DATA SHEET
Wideo
Do pobrania
Download icon Dokumentacja RA1C030LD
Firma: ROHM Semiconductor
Tematyka materiału: DSN1006-3, MOSFET, RA1C030LD, ROHM Semiconductor, smartfony, wearables
AUTOR
Źródło
rohm.com
Udostępnij
Zobacz wszystkie quizy
Quiz weekendowy
cykl Audio Out
1/10 Skuteczność głośnika 80 dB/W/m można ocenić jako:
UK Logo
Elektronika dla Wszystkich
Zapisując się na nasz newsletter możesz otrzymać GRATIS
najnowsze e-wydanie magazynu "Elektronika dla Wszystkich"