Zaloguj się
Wszystkie
21 grudnia 2022
507
ROHM Semiconductor
Dostępny w obudowie: DSN1006-3 tranzystor RA1C030LD oferuje spory stopień rozpraszania ciepła. Jest to możliwe dzięki opatentowanej technologii wytwarzania podzespołów od ROHM Semiconductor. Temperatura pracy tranzystora uwzględnia zakres wartości: od -55 do 150°C. Tranzystor RA1C030LD wyróżnia się właściwym parametrem: Rds(on)·Qgd. Jego przemyślana konstrukcja obniża ryzyko występowania zwarć między nim, a komponentami miniaturowych rozwiązań. Zapewnia to bezpieczną pracę tym rozwiązaniom. Tranzystor RA1C030LD powstał z myślą o cienkich i kompaktowych urządzeniach takich jak: smartfony bądź bezprzewodowe wkładki douszne.
Więcej informacji pod adresami: link 1 i link 2 oraz na poniższych materiałach.
Wartość parametru Rds(on)·Qgd tranzystora RA1C030LD (kolor czerwony)
Własności obudowy DSN1006-3 tranzystora RA1C030LD
Dokumentacja RA1C030LD
Facebook
Twitter
Linkedin
Kup teraz
