GAN039-650NTB jest układem normalnie wyłączonym, który łączy najnowszą wysokonapięciową technologię GaN HEMT H2 firmy Nexperia i niskonapięciowe krzemowe technologie MOSFET, oferując doskonałą niezawodność i wydajność. Maksymalny ciągły prąd drenu wynosi 60 A, natomiast w impulsie może płynąć nawet do 240 A. Tranzystor jest przystosowany do pracy złącza w temperaturze (Tj) od -55°C do +175°C. Dostępny jest w obudowie CCPAK (SOT8005).
Parametry układu:
- Uproszczona konstrukcja sterownika. Mogą być używane standardowe sterowniki do tranzystorów MOSFET:
- Napięcie sterownika od 0 V do 12 V DC
 - Napięcie progowe bramki VGSth = 4 V (typ.)
 
 - Wytrzymałość bramki na przebicie VGS= ± 20 V DC
 - Dioda pasożytnicza o niskim napięciu przewodzenia Vf dla zmniejszenia strat i uproszczonej regulacji czasu martwego
 - Zdolność do przejściowego przepięcia w celu zwiększenia odporności
 - Maksymalne napięcie dren-źródło: VDSmax = 650 V
 - Maksymalny prąd ciągły drenu: ID = 60 A @ VGS=10 V, Tmb=25°C
 - Maksymalna rezystancja kanału: RDSon = 39 mΩ @ VGS=10 V, Tmb=25°C, ID=32A
 - Całkowita pojemność bramki: QG(tot) = 30 nC @ ID=32A, VDS=400V, VGS=10V, Tj= 25°C
 - Technologia obudowy CCPAK:
- Zwiększona niezawodność, ze zmniejszoną rezystancją termiczną Rth(j-mb) („junction – mounting base”) dla optymalnego chłodzenia
 - Niższe indukcyjności dla niższych strat podczas przełączania i EMI („electromagnetic interference”)
 - Maksymalna temperatura złącza: +175 °C
 - Wysoka niezawodność na poziomie płyty pochłaniająca naprężenia mechaniczne podczas cykli termicznych, w przeciwieństwie do tradycyjnych obudów QFN
 - Wizualna (AOI – Automatic Optical Inspection) kontrola lutowania. Nie ma potrzeby stosowania drogiego sprzętu rentgenowskiego
 - Łatwe zwilżanie lutowia dla dobrych mechanicznych połączeń lutowniczych
 
 
Przeznaczenie układu:
- Konwertery przełączające hard i soft do zasilania przemysłowego i teleinformatycznego
 - Falowniki PV i UPS
 - Napęd serwomotorów