Zaloguj się
Wszystkie
12 maja 2022
638
ON Semiconductor (onsemi)
Do niedawna oparte na węgliku krzemu (SiC) podzespoły były dostarczane w dużych obudowach D2PAK. Mająca wymiary: 9,9×11,68 mm obudowa TOLL zajmuje do 60% mniej miejsca niż przytoczone obudowy. Dzieje się to przy jej korzystnych parametrach. Zmniejszona indukcyjność (2 nH) jest gwarantowana. Jak wyjaśnia starszy wiceprezes i dyrektor generalny działu "Advanced Power Division" firmy onsemi, Asif Jakwani:
"Umieszczenie (...) węglikowo-krzemowego tranzystora MOSFET w obudowie TOLL nie tylko zmniejsza ilość zajmowanego miejsca, ale i zwiększa wydajność (...). Otrzymaliśmy wysoce niezawodny i wytrzymały podzespół, (...) które ma pomóc projektantom (...) w tworzeniu obwodów zasilania."
Wyposażony w obudowę TOLL tranzystor NTBL045N065SC1 działa w temperaturze otoczenia do 175°C. Jego napięcie VDSS sięga 650 V. Jest to osiągane przy rezystancji RDS(on) poniżej 33 mΩ. Maksymalny prąd ID tranzystora wynosi 73 A. Ładunek QG(tot) podzespołu to 105 nC. Podzespół przewidziano m.in. dla zasilaczy UPS i systemów magazynowania energii. Tranzystor nadaje się do rozwiązań o surowych normach sprawności (np. ErP lub 80 PLUS Titanium).
Dokumentacja tranzystora NTBL045N065SC1
Facebook
Twitter
Linkedin
Kup teraz
