Zaloguj się
Wszystkie
2 lutego 2022
1931
STGYA50H120DF2 jest częścią serii H tranzystorów IGBT, które stanowią optymalny kompromis pomiędzy stratami przewodzeniem, a stratami podczas przełączania tranzystorów, w celu zmaksymalizowania wydajności przetwornic o wysokiej częstotliwości przełączania. Dodatkowo nieznacznie dodatni współczynnik temperaturowy napięcia VCE(SAT) i bardzo wąski rozkład parametrów tranzystora zapewniają ich bezpieczniejszą pracę równoległą.
Symbol tranzystora STGYA50H120DF2
Podstawowe parametry tranzystora STGYA50H120DF2:
- Maksymalne napięcie VCES: 1200 V
- Maksymalne napięcie VGE: ± 20 V
- Ciągły prąd kolektora IC: 50 A @T = 100ºC
- Minimalny czas odporności na zwarcie tSC: 5 μs
- Dopuszczalny operacyjny zakres temperatury złącza Tj: od –55ºC do 175ºC
- Maksymalne napięcie nasycenia VCE(SAT): 2,6 V @ IC = 50 A
- Typowe napięcie przełączenia tranzystora VGE(th): 6 V
- Całkowity ładunek bramki Qg: 210 nC
Obszar bezpiecznej pracy tranzystora STGYA50H120DF2
Tranzystor jest dostępny w obudowie Max247 z dłuższymi wyprowadzeniami.
Obudowa tranzystora STGYA50H120DF2
Przeznaczenie tranzystora:
- Zasilacze bezprzerwowe UPS (Uninterruptible Power Supply)
- Inwertery pracujące z panelami fotowoltaicznymi
- Spawarki
- Układy korekcji współczynnika mocy PFC (Power Factor Correction)
Dokumentacja tranzystora STGYA50H120DF2
NAPISZ DO AUTORA
Facebook
Twitter
Linkedin
Kup teraz
