Serwisy partnerskie:
Close icon
Serwisy partnerskie

STGYA50H120DF2: Nowy tranzystor IGBT o maksymalnym napięciu VCE = 1200 V w ofercie ST

Tranzystor został wykonany w technologii „Trench Gate Field-Stop”.
Article Image

STGYA50H120DF2 jest częścią serii H tranzystorów IGBT, które stanowią optymalny kompromis pomiędzy stratami przewodzeniem, a stratami podczas przełączania tranzystorów, w celu zmaksymalizowania wydajności przetwornic o wysokiej częstotliwości przełączania. Dodatkowo nieznacznie dodatni współczynnik temperaturowy napięcia VCE(SAT) i bardzo wąski rozkład parametrów tranzystora zapewniają ich bezpieczniejszą pracę równoległą.

Symbol tranzystora STGYA50H120DF2

Podstawowe parametry tranzystora STGYA50H120DF2:

  • Maksymalne napięcie VCES: 1200 V
  • Maksymalne napięcie VGE: ± 20 V
  • Ciągły prąd kolektora IC: 50 A @T = 100ºC
  • Minimalny czas odporności na zwarcie tSC: 5 μs
  • Dopuszczalny operacyjny zakres temperatury złącza Tj: od –55ºC do 175ºC
  • Maksymalne napięcie nasycenia VCE(SAT): 2,6 V @ IC = 50 A
  • Typowe napięcie przełączenia tranzystora VGE(th): 6 V
  • Całkowity ładunek bramki Qg: 210 nC
Obszar bezpiecznej pracy tranzystora STGYA50H120DF2

Tranzystor jest dostępny w obudowie Max247 z dłuższymi wyprowadzeniami.

Obudowa tranzystora STGYA50H120DF2

Przeznaczenie tranzystora:

  • Zasilacze bezprzerwowe UPS (Uninterruptible Power Supply)
  • Inwertery pracujące z panelami fotowoltaicznymi
  • Spawarki
  • Układy korekcji współczynnika mocy PFC (Power Factor Correction)
DATA SHEET
Tematyka materiału: ST, IGBT, STGYA50H120DF2, Max247
AUTOR
Źródło
www.st.com
Udostępnij
Oceń najnowsze wydanie EdW
Wypełnij ankietę i odbierz prezent
UK Logo
Elektronika dla Wszystkich
Zapisując się na nasz newsletter możesz otrzymać GRATIS
najnowsze e-wydanie magazynu "Elektronika dla Wszystkich"