Serwisy partnerskie:
Close icon
Serwisy partnerskie

Dostępne w obudowie TOLL węglikowo-krzemowe (SiC) tranzystory mocy MOSFET firmy Infineon Technologies

Article Image
Mowa tu o serii CoolSiC, która uwzględnia elementy pracujące przy napięciu 650 V. W praktyce definiują ją: miałka indukcyjność pasożytnicza, obniżone straty przełączania, wysoka częstotliwość pracy i możliwości zautomatyzowanego montażu. Kompaktowa obudowa umożliwia w pełni efektywne wykorzystanie przestrzeni płytki drukowanej.

Zastosowanie innowacyjnej technologii połączeń .XT gwarantuje znaczącą stabilność pracy, i nie tylko, tranzystorów CoolSiC w trudnych warunkach. Udało się zminimalizować m.in. spore wartości rezystancji termicznej R(th). Opisywane tranzystory CoolSiC mają napięcie progowe bramki Vgs(th): co najmniej 4 V. Obsługiwane napięcie Vgs pochodzi z zakresu: od -5 do 23 V. Wartości rezystancji włączenia Rds(on) są równe: 22-83 mΩ. Istnieje też możliwość kupienia i wykorzystania tranzystorów CoolSiC z wartościami Rds(on): 107 mΩ, 163 mΩ lub 260 mΩ - są one na zamówienie. Wskaźnik awaryjność tych tranzystorów jest niemal zerowy. Ich aplikacje to m.in. telekomunikacja oraz systemy gromadzenia energii.

Więcej informacji pod adresami: link 1 i link 2

Wideo
Firma: Infineon Technologies
Tematyka materiału: CoolSiC, MOSFET, Infineon Technologies, rezystancja włączenia, SiC, węglik krzemu
AUTOR
Źródło
infineon.com
Udostępnij
Zobacz wszystkie quizy
Quiz
Bezpieczna praca z napięciem 230 V
1/10 Rezystancja mokrej skóry człowieka może wynosić…
UK Logo
Elektronika dla Wszystkich
Zapisując się na nasz newsletter możesz otrzymać GRATIS
najnowsze e-wydanie magazynu "Elektronika dla Wszystkich"