Odpowiedzialni za projekt pamięci scalonej HBM3 inżynierowie SK hynix w istocie zwiększyli wydajność jej działania, wykorzystując technologię: Advanced Mass Reflow Molded Underfill 3 (MR-MUF 3). Zredukowano grubość HBM3 o przeszło 40% - używając przelotek TSV 4 (ang. Through-Silicon Via 4). Osiągnięto produkt, którego wysokość dorównuje pamięciom HBM3 o pojemności 16 GB. Pamięć scalona HBM3 wspomaga przetwarzanie znaczącej liczby różnych informacji. Jej przyjęcie przez światowe firmy technologiczne stale rośnie.
Jak wyjaśnia szef działu "Package&Test" w firmie SK hynix, Sang Hoo Hong:
"Firma SK hynix jest w stanie rozwijać serię szybkich (...) pamięci, dzięki wiodącym w branży technologiom (...). Firma planuje zakończyć przygotowania do ustawicznej produkcji pamięci scalonych HBM3 o pojemności 24 GB w pierwszej połowie 2023 roku, żeby umocnić pozycję lidera na rynku pamięci DRAM, w dobie postępów w zakresie sztucznej inteligencji (AI)".
Więcej informacji pod adresem: news.skhynix.com