Serwisy partnerskie:
Close icon
Serwisy partnerskie

Dwunastowarstwowa pamięć scalona HBM3 firmy SK hynix

Article Image
Jako pierwszej na świecie, udało się firmie SK hynix opracować dwunastowarstwową pamięć scaloną HMB3 o pojemności 24 GB. Pierwsze egzemplarze tej pamięci są już w drodze. Rozpoczęły się szczegółowe testy wytworzonej pamięci.

Odpowiedzialni za projekt pamięci scalonej HBM3 inżynierowie SK hynix w istocie zwiększyli wydajność jej działania, wykorzystując technologię: Advanced Mass Reflow Molded Underfill 3 (MR-MUF 3). Zredukowano grubość HBM3 o przeszło 40% - używając przelotek TSV 4 (ang. Through-Silicon Via 4). Osiągnięto produkt, którego wysokość dorównuje pamięciom HBM3 o pojemności 16 GB. Pamięć scalona HBM3 wspomaga przetwarzanie znaczącej liczby różnych informacji. Jej przyjęcie przez światowe firmy technologiczne stale rośnie.

Dwunastowarstwowa pamięć scalona HBM3 o pojemności 24 GB

Jak wyjaśnia szef działu "Package&Test" w firmie SK hynix, Sang Hoo Hong:

"Firma SK hynix jest w stanie rozwijać serię szybkich (...) pamięci, dzięki wiodącym w branży technologiom (...). Firma planuje zakończyć przygotowania do ustawicznej produkcji pamięci scalonych HBM3 o pojemności 24 GB w pierwszej połowie 2023 roku, żeby umocnić pozycję lidera na rynku pamięci DRAM, w dobie postępów w zakresie sztucznej inteligencji (AI)".

Więcej informacji pod adresem: news.skhynix.com

Wideo
Firma: SK hynix
Tematyka materiału: HMB3, MR-MUF, pamięci półprzewodnikowe, Sang Hoo Hong, SK Hynix, Through Silicon Via
AUTOR
Źródło
news.skhynix.com
Udostępnij
Zobacz wszystkie quizy
Quiz weekendowy
Czujniki temperatury
1/10 Temperatura to
UK Logo
Elektronika dla Wszystkich
Zapisując się na nasz newsletter możesz otrzymać GRATIS
najnowsze e-wydanie magazynu "Elektronika dla Wszystkich"