Powyższe własności zapewniają oparte na arsenku galu (GaAs) tranzystory pHEMT (pseudo High-Electron-Mobility Transistor) konkurujące z tranzystorami MOSFET w wielu aspektach, zwłaszcza w poziomie szumów i zniekształceń sygnałów wyjściowych. Ten jest zdecydowanie niższy dla pierwszych podzespołów pobierających stosunkowo mało mocy. Ostatnie widać w szczególności po prądzie zasilania wzmacniacza, który nigdy nie przekracza 100 mA. Wszystko to przy napięciu zasilania QPL1818 równym 5 V i zakresie temperatury pracy od -40 do 100°C, w obrębie którego obowiązuje wspomniany na początku współczynnik. Obudowę elementu stanowi typ QFN o 16 wyprowadzeniach, z czego większość to jego masy. Wymiary tej obudowy to 3×3 mm. Oprócz tego współczynnik błędu modulacji (MER) układu dochodzi do 42 dB. Wzmacniacz jest stosowany m.in. w modemach kablowych i węzłach optycznych sieci FTTH. Tylko on zapewnia im całkowicie bezawaryjną pracę. Jest to produkt przeznaczony wyłącznie do użytku wewnętrznego (nie jest on wodoodporny).
Specyfikacja wzmacniacza QPL1818:
- Napięcie zasilania: 5 V
- Prąd zasilania: 100 mA
- Zakres częstotliwości pracy: 50-1800 MHz
- Współczynnik wzmocnienia: 15 dB
- Maksymalny współczynnik błędu modulacji (MER): 42 dB
- Współczynnik mocy szumów (Noise Figure): 2 dB
- Zakres temperatury pracy: od -40 do 100°C
- Wymiary: 3×3 mm
- Zgodność z RoHS
Więcej informacji pod adresem: www.qorvo.com