Serwisy partnerskie:
Close icon
Serwisy partnerskie

Portfolio Mouser Electronics rozszerzone o wysokiej mocy tranzystory GaN FET firmy Transphorm

Są to modele: TP65H050G4BS i TP65H050G4WS wspierające napięcia poniżej 650 V. Jest to osiągane dla ich prądu drenu do 34 A włącznie.
Article Image

Obydwa modele są normalnie wyłączanymi elementami, które łączą w sobie cechy wysokonapięciowego tranzystora GaN HEMT (ang. Gallium Nitride High-Electron-Mobility Transistor) z zaletami niskonapięciowego, krzemowego tranzystora MOSFET. Wszystko to przy technologii Gen IV SuperGaN (firmy Transphorm) poprawiającej sprawność podzespołów. Opatentowane technologie wprost sprzyjają TP65H050G4BS i TP65H050G4WS - pierwszy tranzystor jest dostępny w obudowie TO-263, a drugi występuje w obudowie TO-247.

Tranzystor TP65H050G4BS  
Tranzystor TP65H050G4WS

Wspomniane tranzystory są stosowane m.in. w teleinformatyce, inwerterach fotowoltaicznych i serwomotorach. Ładunki bramki oraz pojemność wyjściowa są w tych tranzystorach zmniejszone.

Więcej informacji pod adresami: link 1, link 2, link 3 i link 4

DATA SHEET
DATA SHEET
Do pobrania
Download icon Dokumentacja tranzystora TP65H050G4BS Download icon Dokumentacja tranzystora TP65H050G4WS
Firma: Mouser Electronics
Tematyka materiału: GaN HEMT, MOSFET, Mouser Electronics, Transphorm, TO-247, TO-263
AUTOR
Źródło
www.mouser.pl
Udostępnij
Oceń najnowsze wydanie EdW
Wypełnij ankietę i odbierz prezent
UK Logo
Elektronika dla Wszystkich
Zapisując się na nasz newsletter możesz otrzymać GRATIS
najnowsze e-wydanie magazynu "Elektronika dla Wszystkich"