Zaloguj się
Wszystkie
24 marca 2022
623
Mouser Electronics
Obydwa modele są normalnie wyłączanymi elementami, które łączą w sobie cechy wysokonapięciowego tranzystora GaN HEMT (ang. Gallium Nitride High-Electron-Mobility Transistor) z zaletami niskonapięciowego, krzemowego tranzystora MOSFET. Wszystko to przy technologii Gen IV SuperGaN (firmy Transphorm) poprawiającej sprawność podzespołów. Opatentowane technologie wprost sprzyjają TP65H050G4BS i TP65H050G4WS - pierwszy tranzystor jest dostępny w obudowie TO-263, a drugi występuje w obudowie TO-247.
Tranzystor TP65H050G4BS
Tranzystor TP65H050G4WS
Wspomniane tranzystory są stosowane m.in. w teleinformatyce, inwerterach fotowoltaicznych i serwomotorach. Ładunki bramki oraz pojemność wyjściowa są w tych tranzystorach zmniejszone.
Więcej informacji pod adresami: link 1, link 2, link 3 i link 4
Dokumentacja tranzystora TP65H050G4BS
Facebook
Twitter
Linkedin
Kup teraz
