Zaloguj się
Wszystkie
30 grudnia 2024
89
Opisany układ służy załączaniu i odłączaniu obciążenia stałoprądowego o napięciu zasilania do 600 V i prądzie pobieranym do 27 A – na tyle pozwala użyty tranzystor typu IRG4PC50U. Wybrane dane katalogowe (według International Rectifier) umieszczono w tabeli 1.
Tranzystory IGBT mają pewną cechę, która różni je od tranzystorów typu MOSFET: w nasyceniu charakteryzują się stałym napięciem UCEsat zamiast rezystancją kanału RDSon. Tranzystory typu MOSFET, przystosowane do pracy przy wysokich napięciach, charakteryzują się stosunkowo dużą rezystancją otwartego kanału: jest to kilkaset miliomów (typowo 0,3…1 Ω). Ponieważ moc tracona na rezystorze – a za taki można uznać otwarty kanał – jest wprost proporcjonalna do kwadratu płynącego przezeń prądu, powyżej pewnej wartości jego wartości okaże się, że zysk zakładany początkowo, wynikający z użycia tranzystora MOSFET, nie wystąpi.
Wartość prądu granicznego można wyliczyć ze wzoru uzyskanego po kilku prostych przekształceniach:
Dla użytego tranzystora (UCEsat = 1,65 V) i przytoczonych wartości RDSon, wartość Igran leży w przedziale 1,65…5,5 A. Są to stosunkowo niewielkie prądy, biorąc pod uwagę możliwości tranzystora IGBT. Przykładowo, przy przepływie przez tranzystor MOSFET prądu o wartości 20 A, straty na nim wyniosą 120...400 W, podczas gdy na IGBT wytraci się jedynie 33 W.
NAPISZ DO AUTORA
Facebook
Twitter
Linkedin
Kup teraz
