Serwisy partnerskie:
Close icon
Serwisy partnerskie

TPH3R10AQM: wytwarzany w procesie U-MOS X-H tranzystor MOSFET firmy Toshiba z kanałem typu n

Article Image
W ofercie firmy Toshiba miał swą premierę n-kanałowy tranzystor MOSFET o symbolu TPH3R10AQM. Tranzystor ten cechuje: rezystancja włączenia: 3,1-6 mΩ i maksymalne napięcie Vds=100 V. Przewodzony przez tranzystor TPH3R10AQM prąd drenu sięga na dobry sposób 120 A.

Pracujący z maksymalną temperaturą: 175°C tranzystor TPH3R10AQM wyróżniają 3 wartości ładunków: Qg=83 nC, Qsw=32 nC i Qoss=88 nC. Maława rezystancja włączenia i rozszerzenie liniowego zakresu pracy TPH3R10AQM gwarantują żywotny przyrost wydajności tranzystora. Wynosząca 2,5-3,5 V wartość progowa napięcia Vgs istotnie eliminuje ryzyko nieprawidłowej pracy TPH3R10AQM z racji szumu napięcia Vgs. Ma to miejsce to przy pojemności wejściowej 5,18 nF. Tranzystor TPH3R10AQM przeznaczony jest m.in. dla obwodów przełączających i układów hot-swap wystepujących w urządzeniach stosowanych m.in w centrach danych albo telekomunikacyjnych stacjach bazowych. Wymiary tranzystora to dwie wartości: 4,9×6,1 mm. Tranzystor TPH3R10AQM występuje w obudowie SOP Advance(N).

Więcej informacji pod adresami: link 1 i link 2 oraz na poniższej dokumentacji.

DATA SHEET
Wideo
Do pobrania
Download icon Dokumentacja TPH3R10AQM
Firma: Toshiba
Tematyka materiału: MOSFET, SOP Advance(N), Toshiba, TPH3R10AQM, tranzystory polowe, U-MOS X-H
AUTOR
Źródło
news.toshiba.com
Udostępnij
Zobacz wszystkie quizy
Quiz weekendowy
Czujniki temperatury
1/10 Temperatura to
UK Logo
Elektronika dla Wszystkich
Zapisując się na nasz newsletter możesz otrzymać GRATIS
najnowsze e-wydanie magazynu "Elektronika dla Wszystkich"