Zaloguj się
Wszystkie
29 grudnia 2021
909
STMicroelectronics (ST)
W szczególności mowa tu o następujących tranzystorach:
- SGT120R65AL - przewidziany do pracy z napięciami 650 V element typu G-HEMT (z zerowym ładunkiem Qrr, do „wysokich” częstotliwości i mocy), którego rezystancja włączenia RDS(on) wynosi 120 mΩ, obciążalność prądowa jest równa 15 A, a obudowa to model PowerFLAT 5×6 HV pisany przemysłowemu montażowi powierzchniowemu (SMD),
- SGT250R65ALCS - przewidziany do pracy z napięciami 650 V przyrząd typu G-FET (o „małym” ładunku Qrr, do zastosowań energetycznych), którego rezystancja włączenia RDS(on) sięga 250 mΩ, a obudowa to model PQFN 5×6.
Ich produkcja rozpocznie się w drugiej połowie 2022 roku równolegle z tranzystorami: SGT120R65A2S (o RDS(on)=120 mΩ i laminowanej obudowie 2SPAK sprzyjającej „dużym” częstotliwościom i mocom), SGT65R65AL i SGT65R65A2S, które także należą do wskazanej w tytule serii (dwa ostatnie odznaczają się RDS(on)=65 mΩ i obudowami: PowerFLAT 5×6 HV oraz 2SPAK) i są oferowane jako „próbki” (można je już wstępnie zamawiać). Jak powiedział wiceprezes działu Automotive and Discrete Group firmy STMicroelectronics Edoardo Merli:
„Komercjalizacja produktów opartych na azotku galu jest następną granicą dla półprzewodników mocy - jesteśmy gotowi, by korzystać z potencjału tej ekscytującej technologii. Dziś (15 grudnia 2021 r.) firma ogłasza pierwsze produkty nowej rodziny STPOWER GaN wnoszącej przełomową wydajność dla szerokiej gamy zasilaczy w zastosowaniach konsumenckich, przemysłowych i motoryzacyjnych. Jesteśmy zobowiązani do sukcesywnego rozbudowywania naszej oferty w celu ułatwienia klientom opracowywania mniejszych i lepszych zasilaczy”.
Facebook
Twitter
Linkedin
Kup teraz
