Serwisy partnerskie:
Close icon
Serwisy partnerskie

Diody prostownicze w technologii Trench z oferty TME

Article Image
W ofercie TME pojawiły się podwójne diody Schottky'ego ze strukturą półprzewodnikową wykonaną w technologii Trench produkowane przez WeEn Semiconductors Co. Ltd.

W pierwszym przybliżeniu można powiedzieć, że dioda Schottky'ego, to: “taka prawie zwykła dioda, która ma niższe napięcie przewodzenia i zaporowe oraz jest szybsza”. Jest to bardzo grube przybliżenie, ale wystarczające na potrzeby bieżącego tematu. 

Jeden z głównych obszarów zastosowań zastosowań takiego elementu to prostowniki. Niskie napięcie przewodzenia przekłada się liniowo (czyli “wprost”) na straty mocy powstające “na mostku” prostowniczym. Dodatkowo “szybkość” diody, która jest związana z małą pojemnością złącza ms (ang. metal-semiconductor czyli metal-półprzewodnik) na którym jest oparta dioda Schottky'ego, także przekłada się na mniejsze straty mocy w stanach przełączania i pozwala na pracę przy większych częstotliwościach. Jest to szczególnie cenne współcześnie, gdzie układy prostownikowe nie pracują z napięciem o częstotliwości “sieciowej” 50 Hz lub 60 Hz, ale przy częstotliwościach “przetwornicowych” czyli dużo, dużo wyższych. 

Pewnym problemem jest stosunkowo niskie napięcie zaporowe i prąd upływu diod tego typu. Aktualnie walka o parametry diod Schottky'ego skupia się właśnie na tych dwóch parametrach. Efektem tej walki jest opracowanie technologii “Trench”, która pozwala na podniesienie napięcia zaporowego bez jednoczego podniesienia prądu upływu. Technologia ta poprzez lokalne domieszkowanie krzemu pozwala na podniesienie parametrów złącza. Warto zapoznać się z filmem przybliżającym tę technologię i jej zalety.

W ofercie TME znajdziemy diody wykonane w tej technologii przeznaczone do zastosowania w układach prostowniczych o dużej gęstości mocy. Są to podwójne diody prostownicze Schottky'ego w konfiguracji wspólnej katody w wersjach THT (obudowa TO22) oraz SMD (obudowa D2PAK), jak na Ilustracji 1. 

Diody WeEn wykonane w technologii “Trench”

Dostępne modele wraz z podstawowymi parametrami przedstawia tabela 1.

Podstawowe parametry diod WeEn wykonanych w technologii “Trench”

Asortyment obejmuje prądy przewodzenia (2×)10 A, (2×)15 A i (2×) 20 A przy napięciu 100 V zarówno dla obudowy TO220, jak i dla D2PAK. 

Podstawowe parametry najmocniejszej wersji THT przedstawia tabela 2.

Podstawowe parametry diody WNS40H100CBJ

Dla wersji SMD parametry te zebrane są w tabeli 3.

Podstawowe parametry diody WNS40H100CQ

W obu przypadkach wyraźnie widoczne są korzystne wartości spadku napięcia VF, rzędu 0,68 V…0,95 V. Szczegółowe parametry znajdziemy w dołączonych do tego artykułu kartach katalogowych.

Są to nowoczesne elementy o bardzo wysokich parametrach. Znajdą zastosowanie w projektowanych układach urządzeń prostowniczych typu: przetworniki DC/DC, zasilacze SMPS, układy UPS - wszędzie tam gdzie kluczowa redukcja strat mocy związanych prostowaniem napięcia.

Wideo
Do pobrania
Download icon Karta katalogowa wersji THT Download icon Karta katalogowa wersji SMD
Firma: Transfer Multisort Elektronik (TME)
Tematyka materiału: Nowoczesne diody prostownicze wykonane w technologii Trench
AUTOR
Źródło
www.tme.eu
Udostępnij
Zobacz wszystkie quizy
Quiz weekendowy
Edukacja
1/10 Jak działa rezystor LDR?
UK Logo
Elektronika dla Wszystkich
Zapisując się na nasz newsletter możesz otrzymać GRATIS
najnowsze e-wydanie magazynu "Elektronika dla Wszystkich"