Serwisy partnerskie:
Close icon
Serwisy partnerskie

Dedykowana podzespołom azotkowo-galowym (GaN) technologia sterowania impulsowego Nano Pulse Control firmy ROHM Semiconductor

Article Image
Dzięki technologii Nano Pulse Control, gwarantowane jest dosyć szybkie sterowanie scalonymi podzespołami zasilania. Zredukowano czas trwania impulsów sterujących, co stanowi kluczową zaletę dla podzespołów azotkowo-galowych (GaN). Technologia sterowania impulsowego korzysta z nowoczesnych rozwiązań elektroniki analogowej.

W ramach ostatniej odsłony technologii Nano Pulse Control skrócono najmniejszą szerokość impulsu sterującego do 2 ns. Zapewnia to obniżanie napięć zasilania tylko przez jeden układ, w miejsce wyższych liczb. Możliwa jest sprawna zamiana przytoczonych napięć np. do: 0,6 V.  Przewidziano wsparcie dla podzespołów GaN o znaczącej częstotliwości przełączania (pracy) w kilku miejscach. Peryferyjne elementy napędowe są w pełni objęte technologią sterowania impulsowego Nano Pulse Control. Powierzchnia montażowa rozwiązań ulega zredukowaniu i widać to w przypadku podzespołów GaN oraz układu zasilania z serii EcoGAN (z firmy ROHM Semicondutor). Wszystko to opiera się na projektowaniu obwodów elektrycznych i procesach wykorzystujących zintegrowany system produkcyjny ROHM Semicondutor.

Więcej informacji pod adresami: link 1 i link 2 oraz na poniższych zdjęciach.

Przegląd technologii Nano Pulse Control
Przegląd technologii Nano Pulse Control
Wideo
Firma: ROHM Semiconductor
Tematyka materiału: azotek galu, EcoGAN, GaN, Nano Pulse Control, ROHM Semicondutor, szerokość impulsu
AUTOR
Źródło
rohm.com
Udostępnij
Zobacz wszystkie quizy
Quiz weekendowy
Czujniki poziomu cieczy
1/10 Czujnik pływakowy:
UK Logo
Elektronika dla Wszystkich
Zapisując się na nasz newsletter możesz otrzymać GRATIS
najnowsze e-wydanie magazynu "Elektronika dla Wszystkich"