W ramach ostatniej odsłony technologii Nano Pulse Control skrócono najmniejszą szerokość impulsu sterującego do 2 ns. Zapewnia to obniżanie napięć zasilania tylko przez jeden układ, w miejsce wyższych liczb. Możliwa jest sprawna zamiana przytoczonych napięć np. do: 0,6 V. Przewidziano wsparcie dla podzespołów GaN o znaczącej częstotliwości przełączania (pracy) w kilku miejscach. Peryferyjne elementy napędowe są w pełni objęte technologią sterowania impulsowego Nano Pulse Control. Powierzchnia montażowa rozwiązań ulega zredukowaniu i widać to w przypadku podzespołów GaN oraz układu zasilania z serii EcoGAN (z firmy ROHM Semicondutor). Wszystko to opiera się na projektowaniu obwodów elektrycznych i procesach wykorzystujących zintegrowany system produkcyjny ROHM Semicondutor.
Więcej informacji pod adresami: link 1 i link 2 oraz na poniższych zdjęciach.