Zaloguj się
Wszystkie
9 lutego 2022
544
Infineon Technologies
Przytoczone diody charakteryzuje napięcie przebicia -85 V i temperatura pracy do 150°C. Ich prąd wsteczny nie przekracza dziesiątek µA, a typowe napięcie przewodzenia wynosi co najmniej 0,7 V. Wszystko to przy pojemności złącza diod wynoszącej 2 pF i czasie trr=4 ns pozwalającym stosować BAW56S w aplikacjach o dużych częstotliwościach działania, którymi są m.in. nowoczesne układy scalone oraz rozbudowane systemy telekomunikacyjne.
Schemat i specyfikacja układu są podane niżej. Podzespół należy składować w temperaturze otoczenia od -65 do 150°C. Jest to element do użycia szczególnie w niewielkich rozwiązaniach - trudne warunki pracy nie są mu przy tym straszne, o czym świadczy wspomniana na początku norma.
Pliki projektowe z układem BAW56S m.in. dla środowiska: Altium, Cadence i Eagle (w zakładce „PCB Design Data”)
Opis materiałów zastosowanych w układzie BAW56S
Facebook
Twitter
Linkedin
Kup teraz
