Zaloguj się
Wszystkie
3 lutego 2022
645
Infineon Technologies
Przytoczone diody charakteryzuje napięcie przebicia -300 V oraz temperatura pracy poniżej 150°C. Ich prąd wsteczny nie przekracza dziesiątek µA, natomiast typowe napięcie przewodzenia wynosi 1,3 V. Pojemność złącza diod jest równa 6 pF, przy czasie trr=1 µs pozwalającym stosować BAW101 w rozwiązaniach o wysokich częstotliwościach działania (nowoczesne układy scalone oraz systemy telekomunikacyjne są temu układowi dedykowane). Podzespół należy składować w temperaturze otoczenia od -65 do 150°C. Poniżej jego schemat i specyfikacja. Jest to element mieszczący się w małych aplikacjach. Trudne warunki pracy nie są mu straszne (świadczy o tym podana na początku norma).
Pliki projektowe z układem BAW101 m.in. dla środowiska: Altium, Cadence i Eagle (w zakładce „PCB Design Data”)
Dokumentacja układu BAW101
Facebook
Twitter
Linkedin
Kup teraz
