Powyższa dioda charakteryzuje się napięciem przebicia 85 V i może się nagrzewać do temperatury 150°C. Jej prąd wsteczny jest rzędu µA, podczas gdy jej napięcie przewodzenia to co najmniej 715 mV. Pojemność złącza BAS16 jest przy tym równa 2 pF, przy czasie trr=4 ns, co umożliwia stosowanie podzespołu w rozwiązaniach o wysokich częstotliwościach działania (nowoczesne układy scalone, systemy telekomunikacyjne itp.). Wyrób należy składować w temperaturze od -65 do 150°C. Mieści się on w małych aplikacjach. Można nim zawsze polegać - trudne warunki pracy nie są mu straszne (przytoczona na początku norma w całości o tym zaświadcza). Poniżej specyfikacja diody BAS16 (warto się z nią zapoznać, zwłaszcza w porównaniu z resztą produktów Infineon Technologies, które w tej specyfikacji uwzględniono).