Wysokiej jakości dysk 990 EVO Plus gwarantuje prędkości odczytu sekwencyjnego do blisko 7250 MB/s i zapisu danych do 6300 MB/s. Zastosowanie najnowszej, oryginalnej technologii V-NAND i kontrolera wykonanego w technologii 5 nm przekłada się na przyrost wydajności, a innowacyjna osłona termiczna - pokryta niklem, w dogodny sposób minimalizuje przegrzanie dysku. W szczególności ciekawy jest wariant 990 EVO Plus o pojemności 4 TB, który cechuje się prędkością losowego odczytu wynoszącą 1,05 milionów operacji wejścia/wyjścia w czasie sekundy (IOPS) oraz 1,4 miliona operacji IOPS, jeżeli chodzi o zapis. Jest to wydajność niemal dorównująca dyskom SSD z pamięcią podręczną DRAM, choć 990 EVO Plus jej nie zawiera. Z pewnością to optymalne rozwiązanie do zadań powiązanych z grami i sztuczną inteligencją, z zasady wymagających wysokich parametrów pracy.
Więcej informacji pod adresem: news.samsung.com