Zaloguj się
Wszystkie
18 maja 2022
623
Znajdująca się w prototypowych układach struktura - azotek galu (GaN) na krzemowym podłożu (Si) oferuje wyższą moc wyjściową od układów LDMOS (zwłaszcza we wzmacniaczach RF). Pierwsze układy RF GaN-on-Si już powstały. Układy te czekają na ocenę i docelową fabrykację. Jak wyjaśnia dyrektor generalny podgrupy tranzystorów mocy i wiceprezes wykonawczy firmy STMicroelectronics, Edoardo Merli:
"Wierzymy, że układy RF GaN-on-Si (...) mogą skutecznie konkurować z technologią LDMOS (...). Komercjalizacja tych układów to (...) kamień milowy naszej współpracy z firmą MACOM (...). Mamy nadzieję na pełne wykorzystanie (...) układów RF GaN-on-Si."
Słowa Merliego uzupełnia prezes i dyrektor generalny firmy MACOM, Stephen G. Daly:
"Wspólnie podejmujemy działania w stronę komercjalizacji układów RF GaN-on-Si (...). Współpraca z STMicroelectronics jest (...) częścią naszej strategii (...). Jestem przekonany, że możemy zdobyć udział (...) w zastosowaniach, w których struktura GaN-on-Si spełnia oczekiwania (...)."
Zarówno STMicroelectronics, jak i MACOM chcą jak najszybciej wprowadzić układy RF GaN-on-Si na rynek. Zastosowany w tych układach azotek galu można również stosować z węglikowo-krzemowym podłożem (SiC). Jednak jest to drogie rozwiązanie z powodu skomplikowanej produkcji.
Więcej informacji pod adresem: ir.macom.com
Facebook
Twitter
Linkedin
Kup teraz
