OPA4H014-SEP charakteryzuje się odpornością na „pojedyncze zdarzenie zatrzaśnięcia” (SEL) do 43 MeV-cm2/mg oraz „wzmocnioną czułością na niską dawkę promieniowania” (ELDRS) do 30 krad(Si). Wzmacniacz posiada wejścia wykonane z tranzystorów JFET, dzięki czemu charakteryzują się małym prądem wejściowym (do 10 pA). Zasilić go można napięciem pojedynczym (od 4,5 V do 18 V) lub podwójnym (od ±2,25 V do ±9 V). Wyjście wzmacniacza jest typu rail-to-rail.
OPA4H014-SEP charakteryzuje się niskim napięciem offsetu wejścia (120 μV) jak i jego zmianą w funkcji temperatury (1 μV/°C). Cechą tego wzmacniacza jest również niski poziom szumów (rysunek 1).
W jednej obudowie TSSOP znajdują się 4 wzmacniacze (rysunek 2).
Podstawowe parametry wzmacniacza:
- Napięcie offsetu wejścia: 120 μV
- Maksymalny prąd wejścia wzmacniacza: 10 pA
- Szybkość narastania sygnału: 20 V/μs
- Pasmo wzmacniacza: 11 MHz
- Temperatura otoczenia podczas pracy wzmacniacza: od -55°C do +125°C
- Niski poziom szumów: 5,1 nV/√Hz dla częstotliwości 1 kHz
- CMRR: 140 dB
- Całkowite zniekształcenia harmoniczne i szum (THD+N): 0,00005% dla f = 1 kHz
- Prąd spoczynkowy (dla każdego wzmacniacza): maksymalnie 2,7 mA
Zastosowanie:
- Monitorowanie stanu satelitów i ich telemetrii
- System kontroli wysokości i orbity (AOCS)
- System zasilania satelity w energię elektryczną (EPS)
- System satelitarnego obrazowania radarowego
Uwaga! Układ ma status „Preview”. Znaczy to, że jego finalne parametry mogą jeszcze ulec zmianie.