Zaloguj się
Wszystkie
24 czerwca 2024
306
Infineon Technologies
Odporne na promieniowanie kosmiczne pamięci nieulotne FRAM od Infineon Technologies w rzeczy samej nadają się do wymagających aplikacji kosmicznych. Tam, gdzie były dotychczas stosowane wolniejsze i mniej wytrzymałe pamięci EEPROM, tam opisywane pamięci mogą na dobrą sprawę się przydać (o ile to nie konieczność). W porównaniu z innymi rozwiązaniami na rynku charakteryzuje je: skrócony czas dostępu, znaczący poziom bezpieczeństwa i mniejszy pobór mocy - przy napięciu programowania 2 V oraz maksymalnym prądzie roboczym 20 mA. Niewrażliwe na błędy miękkie (z ang. soft errors) pamięci nieulotne FRAM posiadają interfejs równoległy do odczytu i zapisu danych. Każda z nich została obliczona na maksymalnie 10^13 cykli zapisu danych i zapewniana jest w ceramicznej obudowie TSOP o 44 wyprowadzeniach. Należy zaznaczyć, że opisywane pamięci mogą być stosowane również w rozwiązaniach typu wojskowego, szczególnie tych, które operują w przedziale temperatur: od -55°C do 125°C. Są to rozwiązania z kwalifikacją QML-V, współpracujące m.in. z czujnikami bądź z instrumentami pokładowymi łazików, nadające się do przechowywania zebranych danych pomiarowych oraz danych kalibracyjnych, kluczy szyfrujących i programów rozruchowych.
Najważniejsze cechy pamięci nieulotnych FRAM od Infineon Technologies:
- Dopuszczalny poziom łącznej dawki promieniowania (TID): powyżej 150 Krad
- Całkowita odporność na zjawisko Single Event Upset (SEU)
- Odporność na zjawisko Single Event Latchup (SEL): do poziomu 96 MeV*cm2/mg (przy temperaturze 115°C)
- Poziomy uszkodzeń SEFI (ang. Single Event Functional Interrupts):
- W trybie działania lub czuwania: poniżej 1,34∙10-4 err/dev - w ciągu jednego dnia
- W trybie uśpienia: nie dotyczy
Facebook
Twitter
Linkedin
Kup teraz
