Serwisy partnerskie:
Close icon
Serwisy partnerskie

Nowe, odporne na promieniowanie kosmiczne pamięci nieulotne FRAM od Infineon Technologies

Article Image
W pierwszej kolejności warto podkreślić, że są to pamięci ferroelektryczne, które mają pojemność: 1 Mb bądź 2 Mb. Z kolei drugą kluczową sprawą jest zasadnicza odporność tych pamięci na promieniowanie kosmiczne, która przekłada się na ich niezawodność i wytrzymałość zwłaszcza kiedy chodzi o możliwość przechowywania danych przez 120 lat - to właśnie w tym znaczeniu zostało użyte określenie "nieulotny", które występuje w tytule niniejszego wpisu.

Odporne na promieniowanie kosmiczne pamięci nieulotne FRAM od Infineon Technologies w rzeczy samej nadają się do wymagających aplikacji kosmicznych. Tam, gdzie były dotychczas stosowane wolniejsze i mniej wytrzymałe pamięci EEPROM, tam opisywane pamięci mogą na dobrą sprawę się przydać (o ile to nie konieczność). W porównaniu z innymi rozwiązaniami na rynku charakteryzuje je: skrócony czas dostępu, znaczący poziom bezpieczeństwa i mniejszy pobór mocy - przy napięciu programowania 2 V oraz maksymalnym prądzie roboczym 20 mA. Niewrażliwe na błędy miękkie (z ang. soft errors) pamięci nieulotne FRAM posiadają interfejs równoległy do odczytu i zapisu danych. Każda z nich została obliczona na maksymalnie 10^13 cykli zapisu danych i zapewniana jest w ceramicznej obudowie TSOP o 44 wyprowadzeniach. Należy zaznaczyć, że opisywane pamięci mogą być stosowane również w rozwiązaniach typu wojskowego, szczególnie tych, które operują w przedziale temperatur: od -55°C do 125°C. Są to rozwiązania z kwalifikacją QML-V, współpracujące m.in. z czujnikami bądź z instrumentami pokładowymi łazików, nadające się do przechowywania zebranych danych pomiarowych oraz danych kalibracyjnych, kluczy szyfrujących i programów rozruchowych.

Logo firmy Infineon Technologies

Najważniejsze cechy pamięci nieulotnych FRAM od Infineon Technologies:

  • Dopuszczalny poziom łącznej dawki promieniowania (TID): powyżej 150 Krad
  • Całkowita odporność na zjawisko Single Event Upset (SEU)
  • Odporność na zjawisko Single Event Latchup (SEL): do poziomu 96 MeV*cm2/mg (przy temperaturze 115°C)
  • Poziomy uszkodzeń SEFI (ang. Single Event Functional Interrupts):
    • W trybie działania lub czuwania: poniżej 1,34∙10-4 err/dev - w ciągu jednego dnia
    • W trybie uśpienia: nie dotyczy

Więcej informacji pod adresami: link 1 i link 2

Wideo
Firma: Infineon Technologies
Tematyka materiału: EEPROM, FRAM, Infineon Technologies, nowości, promieniowanie kosmiczne, RAM
AUTOR
Źródło
infineon.com
Udostępnij
Zobacz wszystkie quizy
Quiz weekendowy
Czujniki temperatury
1/10 Temperatura to
UK Logo
Elektronika dla Wszystkich
Zapisując się na nasz newsletter możesz otrzymać GRATIS
najnowsze e-wydanie magazynu "Elektronika dla Wszystkich"