Zaloguj się
Wszystkie
8 kwietnia 2022
136
Oparte na technologii CoolSiC™ tranzystory charakteryzuje niska rezystancja włączenia i duży zakres napięcia bramki. Ich temperatura złącza sięga 175°C. Wszystko to przy małych rozmiarach. Stabilność działania tranzystorów jest gwarantowana. Ich nowa seria CoolSiC™ M1H jest szczególnym tego dowodem - w czasie wydarzenia przedstawiona zostanie jej techniczna strona. Będzie w niej uwzględniona m.in. obudowa TO-247. Przewiduje się demonstrację technologii .XT - użyte w niej dyfuzyjne lutowanie polepsza pracę tranzystorów (za tą technologię firma Infineon Technologies otrzymała nagrodę "Deutsche Innovationspreis 2022"). Planowana jest natychmiastowa sprzedaż tranzystorów CoolSiC™ M1H - ma to się odbyć wraz z modułami zasilającymi rodzin: Easy 1B, Easy 2B i Easy 3B.
Wydarzenie „CoolSiC™ M1H: Chip upgrade for 1200 V Silicon Carbide MOSFETs” poprowadzi Peter Friedrichs - wiceprezes ds. węglika krzemu w dziale "Industrial Power Control" firmy Infineon Technologies. Aby dołączyć do wydarzenia należy wypełnić formularz online. W przypadku braku możliwości uczestnictwa w wydarzeniu lub jeżeli ktoś inny będzie brał w nim udział, zwłaszcza w zastępstwie, prosimy wysłać do firmy Infineon Technologies wiadomość o zaistniałym fakcie.
NAPISZ DO AUTORA
Facebook
Twitter
Linkedin
Kup teraz
