Serwisy partnerskie:
Close icon
Serwisy partnerskie

Tranzystor MOSFET N z oferty firmy GLYN

W ofercie firmy Glyn możemy znaleźć szeroki wybór półprzewodników renomowanych producentów. Jednym z nich jest tranzystor TK15S04N1L produkowany przez firmę TOSHIBA.
Article Image

Tranzystory MOSFET (ang. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) są odmianą tranzystorów polowych (ang. Field Effect Transistor). Elementy tego typu znajdują zastosowanie w bardzo szerokim obszarze. Znajdziemy je  między innymi w układach takich jak przetwornice impulsowe, wzmacniacze audio, oświetlenie LED, sterowniki silników, sterowniki układów oświetleniowych i w wielu innych.

W ofercie firmy GLYN możemy znaleźć produkowany (już prawie od dekady) przez firmę TOSHIBA tranzystor TK15S04N1L. Jest to klasyczny przedstawiciel tego “gatunku”. Pełny opis znajdziemy w dołączonej do artykułu karcie katalogowej; podstawowe parametry są następujące:

  • Typ: z kanałem N,
  • Napięcie Dren-Źródło: 40 V,
  • Ciągły prąd drenu: 15 A (przy 25°C),
  • Napięcie Vgsth: 2,5 V,
  • Oporność Rds On: 17,8 mOhm @7,5 A, 10 V,
  • Maksymalna moc: 46 W,
  • Obudowa: DPAK+.

Jak widać jest to bardzo sympatyczny, mały (obudowa SMD DPAK+) elemencik, który odpowiednio sterowany potrafi przewodzić znaczący prąd. W pierwszym przybliżeniu tranzystor MOSFET jest elementem który pozwala sterować prądem poprzez zmianę przyłożonego napięcia. Bardzo istotna różnica pomiędzy nim a “zwykłym” tranzystorem bipolarnym polega na tym że w obwodzie sterowania, czyli bramki, “prawie nie płynie prąd”. To znacząco upraszcza jego zastosowanie. Początkujący zazwyczaj używają go jako przełącznika według zasady: jeżeli bramka jest spolaryzowana napięciem o odpowiedniej wartości, to tranzystor przewodzi z bardzo małym oporem, rzędu miliomów. Dodatkowym plusem naszego bohatera jest fakt, że zaczyna przewodzić już przy napięciu bramki 2,5 V. W połączeniu z charakterystyką z Ilustracji 1 pozwala to stwierdzić, że przy wysterowaniu “z gołej ATmegi” (czyli napięcie bramki 5 V), możemy sterować natężeniem 5 A. 

Zależność spadku napięcia złączu D-S i prądu D-S dla różnych napięć polaryzacji bramki

W tych warunkach spadek napięcia na złączu dren-żródło wyniesie około 0,1 V, czyli na elemencie będzie się wytracała moc około 0,5 W. Przy płytce PCB zaprojektowanej zgodnie z wytycznymi producenta, obudowa może rozproszyć 3 W bez dodatkowego chłodzenia, więc bez problemu można pracować przy takim sterowaniu, którego bardzo często formę przedstawia schemat na ilustracji tytułowej.

W miarę wzrostu wyrafinowania układu i wiedzy konstruktora okazuje się, że nie można tak mocno upraszczać modelu tego elementu. Zaczynamy uwzględniać moc strat zarówno w obwodzie wysokoprądowym jak i sterującym. Przy szybkich PWMach zaczyna grać rolę pojemność bramki i okazuje się, że szybkie włączenie i wyłączenie takiego tranzystora wymaga operowania dużymi prądami w obwodzie sterowania i stosowania specjalizowanych driverów które poza dużym prądem dysponują także odpowiednio wysokim napięciem polaryzującym. W tym przypadku wszystkie konieczne parametry znajdziemy w karcie katalogowej. Ze względu na renomę i tradycję producenta możemy tym wartościom spokojnie zaufać.

Do pobrania
Download icon Karta katalogowa
Firma: GLYN Poland
Tematyka materiału: Tranzystor MOSFET z kanałem typu N
AUTOR
Źródło
www.glyn.com
Udostępnij
Zobacz wszystkie quizy
Quiz weekendowy
Wzmacniacz Fortissimo – 100 klasy Hi-End
1/8 Dlaczego tranzystory komplementarne zastosowane w stopniu wyjściowym wzmacniacza Fortissimo 100 noszą nazwę „Thermal Track”?
UK Logo
Elektronika dla Wszystkich
Zapisując się na nasz newsletter możesz otrzymać GRATIS
najnowsze e-wydanie magazynu "Elektronika dla Wszystkich"