Serwisy partnerskie:
Close icon
Serwisy partnerskie

Nowości serii OptiMOS firmy Infineon Technologies w postaci tranzystorów mocy MOSFET

Mowa tu o przewidzianych na napięcia: 25-150 V podzespołach, które znajdują się w obudowie PQFN o wymiarach: 3,3×3,3 mm. Dzięki obciążalności prądowej do 298 A, nowe tranzystory mogą być używane choćby w: serwerach, elektronarzędziach oraz ładowarkach baterii. Jest to osiągane przy unikalnej konstrukcji Source-Down, która uwzględnia m.in. odwrócone położenie styku źródeł tranzystorów.
Article Image

Stosujące podjście Dual-Side Cooling tranzystory cechuje wysokie rozpraszanie ciepła, które można w całości podać na radiator. Jest to najefektywniejszy sposób ich chłodzenia, który nie skutkuje stratami. Przekłada się to na doskonałe parametry termiczne tranzystorów z rodziny OptiMOS. Ich nowe modele charakteryzuje obniżona rezystancja włączenia. Dostępne są dwa warianty tych modeli: Standard-Gate i Center-Gate. Pierwszy z nich sprzyja modyfikacjom na każdych rozwiązaniach Drain-Down. Druga wersja oferuje równoległe połączenia - najkrótsze względem bramek tranzystorów.

Więcej informacji pod adresami: link 1 i link 2 oraz na poniższym dokumencie.

DATA SHEET
Wideo
Do pobrania
Download icon Opis konstrukcji Source-Down
Firma: Infineon Technologies
Tematyka materiału: Dual-Side Cooling, MOSFET, Infineon Technologies, OptiMOS, PQFN, Source-Down
AUTOR
Źródło
infineon.com
Udostępnij
Zobacz wszystkie quizy
Quiz weekendowy
Zrozumieć tranzystory bipolarne
1/10 Ile jest konfiguracji, czyli sposobów włączania tranzystorów bipolarnych?
UK Logo
Elektronika dla Wszystkich
Zapisując się na nasz newsletter możesz otrzymać GRATIS
najnowsze e-wydanie magazynu "Elektronika dla Wszystkich"