Serwisy partnerskie:
Close icon
Serwisy partnerskie

STGAP2GS firmy STMicroelectronics: jednokanałowy sterownik tranzystorów GaN FET z izolacją galwaniczną

Article Image
Mający wyjścia "rail-to-rail" sterownik STGAP2GS gwarantuje maksymalne napięcie bramki 15 V. Zintegrowana izolacja galwaniczna została zawarta między kontrolerem sterownika i jego obwodem sterującym. Opisywany sterownik umożliwia przełączanie tranzystorów GaN FET z wysoką częstotliwością.

Dzięki propagacji wewnętrznej 45 ns, sterownik STGAP2GS wyróżnia znakomity czas reakcji. Gwarantowana jest odporność tego sterownika na szybkozmienne składowe napięciowe, tzn. takie, które charakteryzuje stopień narastania: poniżej 100 V/ns. Występują 3 zabezpieczenia: przeciwzwarciowe, termiczne i UVLO. Przewidziano 2 wyjścia: GON i GOFF, które pozwalają, z łatwością, sterować bramką tranzystora GaN FET. Powiązane z tymi wyjściami prądy osiągają wartości (kolejno): 2 A i 3 A. Dostępny jest tryb czuwania w celu zmniejszenia poboru mocy w trakcie spoczynku. Wejścia sterownika STGAP2GS zgodne są z 2 standardami napięciowymi: TTL i CMOS (3,3 V i 5 V). Uwzględniono pętle histerezy dla tych wejść. Sterownik STGAP2GS obsługuje napięcia do 1,2 kV - jest to stałe napięcie przebicia izolacji galwanicznej. Sterownik został zaprojektowany m.in. dla: falowników, zasilaczy komputerowych, urządzeń automatyki przemysłowej i ładowarek bezprzewodowych. Produkt jest dostępny w obudowie SO-8W.

Więcej informacji pod adresami: link 1 i link 2 oraz na poniższej dokumentacji.

DATA SHEET
Wideo
Do pobrania
Download icon Dokumentacja STGAP2GS
Firma: STMicroelectronics (ST)
Tematyka materiału: azotek galu, GaN, GaN FET, ST, STGAP2GS, STMicroelectronics
AUTOR
Źródło
newsroom.st.com
Udostępnij
Zobacz wszystkie quizy
Quiz weekendowy
Edukacja
1/10 Jak działa rezystor LDR?
UK Logo
Elektronika dla Wszystkich
Zapisując się na nasz newsletter możesz otrzymać GRATIS
najnowsze e-wydanie magazynu "Elektronika dla Wszystkich"