Przewidziany pod wysokie prądy obciążenia sterownik gwarantuje wyłączanie tranzystorów MOSFET w czasie mikrosekund. Jest to osiągane przy napięciu zasilania 3-58 V. Sterownik 2ED2410-EM posiada 2 interfejsy pomiarowe i 4 komparatory ochronne. Są w nim dostępne zabezpieczenia nadprądowe, nadnapięciowe i zwarciowe. Prądy sterowanych tranzystorów są mierzone w obu kierunkach. Ich napięcia "dren-źródło" są monitorowane. Spoczynkowy pobór prądu sterownika jest rzędu mikroamperów. Nowy sterownik cechuje obudowa PRO-SIL. Można go stosować z tranzystorami MOSFET serii OptiMOS od Infineon Technologies.
Więcej informacji pod adresami: link 1 i link 2 oraz na poniższej dokumentacji.