Zaloguj się
Wszystkie
24 września 2021
670
Infineon Technologies
Nowa metoda ma w szczególności korzystać z pokrytych warstwą azotku galu wafli krzemowych o średnicy 8” zawierających tranzystory HEMT o małej pojemności i niskiej rezystancji włączenia. Dzięki nim układy mocy będzie można szybko „przełączać” przy napięciu pracy 650 V. Wynikająca z tego większa gęstość mocy i wydajność znacząco zwiększy ich możliwości, a przyrządy je tworzące będą normalnie wyłączone. Hybrydowe tranzystory HD-GIT też są rozważane. Zgodnie z relacją dyrektora oddziału systemów mocy i sensorów firmy Infineon Technologies Andreasa Urschitza:
"Oprócz wysokich standardów niezawodności dla pierwszej generacji, następna generacja sprawi, że klienci skorzystają z jeszcze łatwiejszego sterowania przy mniejszych kosztach, szczególnie dzięki zastosowaniu ośmiocalowych wafli”.
Natomiast dyrektor wykonawczy oddziału inżynierskiego firmy Panasonic, Tetsuzo Ueda, dodał:
"Cieszymy się, że możemy rozszerzyć nasze partnerstwo i współpracę z firmą Infineon Technologies w obszarze podzespołów GaN. Dzięki temu układy drugiej generacji, podobnie jak pierwszej, będą wysokiej jakości, przy najnowszych, innowacyjnych osiągnięciach”.
Obydwu firmom serdecznie gratulujemy - oby współpraca była owocna!
Facebook
Twitter
Linkedin
Kup teraz
