Serwisy partnerskie:
Close icon
Serwisy partnerskie

Współpraca Infineon Technologies i Panasonic w zakresie azotkowo-galowych podzespołów mocy drugiej generacji

Wspomniane firmy podpisały umowę na opracowanie technologii stanowiącej wyżej wymienione układy. Będzie to sukcesor dotychczas stosowanych przez nie rozwiązań dla elementów GaN pierwszej generacji, przede wszystkim CoolGaN™ oraz X-GaN™.
Article Image

Nowa metoda ma w szczególności korzystać z pokrytych warstwą azotku galu wafli krzemowych o średnicy 8” zawierających tranzystory HEMT o małej pojemności i niskiej rezystancji włączenia. Dzięki nim układy mocy będzie można szybko „przełączać” przy napięciu pracy 650 V. Wynikająca z tego większa gęstość mocy i wydajność znacząco zwiększy ich możliwości, a przyrządy je tworzące będą normalnie wyłączone. Hybrydowe tranzystory HD-GIT też są rozważane. Zgodnie z relacją dyrektora oddziału systemów mocy i sensorów firmy Infineon Technologies Andreasa Urschitza:

 "Oprócz wysokich standardów niezawodności dla pierwszej generacji, następna generacja sprawi, że klienci skorzystają z jeszcze łatwiejszego sterowania przy mniejszych kosztach, szczególnie dzięki zastosowaniu ośmiocalowych wafli”.

Andreas Urschitz - dyrektor oddziału systemów mocy i sensorów firmy Infineon Technologies

Natomiast dyrektor wykonawczy oddziału inżynierskiego firmy Panasonic, Tetsuzo Ueda, dodał:

"Cieszymy się, że możemy rozszerzyć nasze partnerstwo i współpracę z firmą Infineon Technologies w obszarze podzespołów GaN. Dzięki temu układy drugiej generacji, podobnie jak pierwszej, będą wysokiej jakości, przy najnowszych, innowacyjnych osiągnięciach”.

Obydwu firmom serdecznie gratulujemy - oby współpraca była owocna!

Tetsuzo Ueda - dyrektor wykonawczy oddziału inżynierskiego firmy Panasonic
Tematyka materiału: azotek galu, CoolGAN™, GaN, HD-GIT, HEMT, Infineon Technologies, Panasonic, półprzewodniki mocy, X-GaN™
AUTOR
Źródło
www.infineon.com
Udostępnij
UK Logo