Tranzystor bipolarny. Podstawy działania

Nazwę tranzystor można wywodzić od transformowania rezystancji:

z małej na dużą

z dużej na małą

ze zmiennej na stałą

Gdy tranzystor pracuje jako wzmacniacz, to jego złącza E (emiter) – B (baza) i C (kolektor) – B (baza) są spolaryzowane następująco:

E-B w kierunku przewodzenia
C-B w kierunku przewodzenia

E-B w kierunku zaporowym
C-B w kierunku przewodzenia

E-B w kierunku przewodzenia
C-B w kierunku zaporowym

W tranzystorze n-p-n z emitera do bazy są wstrzykiwane:

dziury

elektrony

zarówno elektrony jak i dziury

Nośniki wstrzykiwane z emitera do bazy odgrywają w bazie rolę nośników:

samoistnych

mniejszościowych

większościowych

Transport nośników w bazie od emitera do kolektora odbywa się wskutek:

unoszenia

dyfuzji

unoszenia i dyfuzji

Charakterystyki prądowo-napięciowe złącza B-C spolaryzowanego zaporowo są:

płaskie

liniowe

wykładnicze

Wzmocnienie prądowe α, definiowane jako stosunek prądu kolektora IC do prądu emitera IE wynosi:

prawie 1

nieco ponad 1

kilkadziesiąt do kilkuset razy

Wzmocnienie prądowe β, zdefiniowane jako stosunek prądu kolektora IC do prądu bazy IB wynosi:

prawie 1

nieco ponad 1

kilkadziesiąt to kilkaset razy

Prąd zerowy kolektora ICBO płynie przy polaryzacji złącza C-B:

napięciem zerowym

w kierunku przewodzenia

w kierunku zaporowym

Pod wpływem rosnącej temperatury prąd zerowy kolektora ICBO:

nie zmienia się

rośnie

maleje