Przykładem takiej „diody” jest układ LTC4358 (Analog Devices). W swojej strukturze układ zawiera tranzystor kluczujący MOSFET o niewielkiej rezystancji kanału (typ. 20 mΩ) z obwodami detekcji napięć wejściowych i wyjściowych sterujących jego pracą.
Dzięki za niskiej rezystancji klucza w porównaniu do typowej diody Schottky'ego, przełączanie odbywa się z niewielkimi stratami, nawet przy prądzie do 5 A (maksymalne napięcie pracy klucza to 26 V), co jest szczególnie istotne w układach zasilanych bateryjnie, gdzie możliwe jest maksymalne wykorzystanie energii zgromadzonej w ogniwach. Zmierzoną przez producenta różnicę strat mocy przemawiającą za stosowaniem diod „idealnych” (pomimo ich wyższej ceny).