Ultraczysty trichlorek krzemu wykorzystywany jest np. w procesach chemicznego osadzania warstw krzemu (CVD). Znajduje zastosowanie przy produkcji warstw półprzewodnikowych, w praktyce wymaganych do produkcji mikroprocesorów, układów scalonych czy wielu ważnych podzespołów elektronicznych. Wykorzystanie ultraczystego trichlorku krzemu (SiCl3) daje, w zupełności, kontrolowane i jednorodne deponowanie warstw, co ma znaczenie dla własności i parametrów: strukturalnych oraz elektrycznych. Surowiec ten sprawdza się też w aplikacjach fotowoltaicznych. Z kolei tetraetoksysilan (TEOS) służy do osadzania dielektrycznych warstw ochronnych, na płytkach krzemowych. Warstwy te zapewniają izolację elektryczną pomiędzy różnymi warstwami układów scalonych, chroniąc je przed zewnętrznymi czynnikami - takimi jak: wilgoć i zanieczyszczenia. Podobnie jak ultraczysty trichlorek krzemu, TEOS ma użytek w procesach CVD. Własności tetraetoksysilanu (TEOS) pozwalają na stwarzanie warstw o wielu dobrych właściwościach izolacyjnych, odpowiedniej grubości i jednorodności. Wykorzystanie ultraczystego trichlorku krzemu i tetraetoksysilanu w przemyśle elektronicznym podkreśla w całości poważne znaczenie surowców chemicznych, jako najważniejszych czynników rozwoju zaawansowanych technologii. Dzięki tym surowcom, producenci elektroniki są w stanie robić wydajne i niezawodne podzespoły niezbędne dla przemysłu i społeczeństwa.
Więcej informacji pod adresem: products.pcc.eu