Serwisy partnerskie:
Close icon
Serwisy partnerskie

Nieulotna, wbudowana pamięć MRAM od NXP Semiconductors i TSMC, którą wykonano w procesie technologicznym FinFET 16 nm

Article Image
Ciągły rozwój pojazdów definiowanych programowo (ang. Software Defined Vehicles - SDV) przyniósł wzrost liczby instalowanych aktualizacji oprogramowania. Każda taka aktualizacja to określony kod do wykonania. Wymaga to wykorzystania pamięci. Musi to być rozwiązanie, które jest trwałe i działa dosyć szybko. Bez cienia wątpliwości jest nim opracowana przez firmy: NXP Semiconductor i TSMC wbudowana pamięć MRAM (ang. Magnetic Random Access Memory), którą zrobiono w procesie technologicznym FinFET 16 nm. Pamięć ta współpracuje m.in. z pojazdowymi mikrokontrolerami.

Zajmujące 20 MB w pamięci MRAM dane można zmodyfikować w czasie poniżej 3 sekund. W przypadku pamięci Flash jest to już 1 minuta. Oznacza to eliminację przestojów związanych z aktualizacjami oprogramowania. Trwałość opracowanej pamięci to: ponad milion całych cykli aktualizacji. Gwarantowane jest przechowywanie danych przez 20 lat w temperaturze 150°C. Istnieje możliwość montażu pamięci MRAM na płytkach drukowanych - w tym celu potrzeba, w istocie, lutowania rozpływowego. Pojazdy SDV umożliwiają wprowadzanie ważkich funkcji: komfortu, bezpieczeństwa i wygody za pośrednictwem aktualizacji OTA (z ang. Over-The-Air). Oczekuje się dalszego wzrostu liczby tychże aktualizacji, a przez to przyrostu szybkości oraz trwałości pamięci MRAM w przyszłości. Jej masowa produkcja rozpocznie się w 2025 roku.

Więcej informacji pod adresem: nxp.com

Firma: NXP Semiconductors
Tematyka materiału: FinFET, MRAM, NXP, SDV, OTA, TSMC
AUTOR
Źródło
nxp.com
Udostępnij
Zobacz wszystkie quizy
Quiz weekendowy
Czujniki temperatury
1/10 Temperatura to
UK Logo
Elektronika dla Wszystkich
Zapisując się na nasz newsletter możesz otrzymać GRATIS
najnowsze e-wydanie magazynu "Elektronika dla Wszystkich"