Dzięki jednoczesnej pracy dwóch rzędów banków danych, pamięć DDR5 MCR DIMM pozwala na przesyłanie 128 bajtów informacji za jednym razem - dwukrotnie więcej niż pamięć DRAM. Jest to rozwiązanie wywodzące się z nieszablonowego myślenia, którego cel to powiększenie wydajności pracy istniejących pamięci DDR5. Zamiast tworzenia nowych modułów, skupiono się na dostępnych koncepcjach. Pozwoliło to uzyskać przepustowość wymiany danych rzędu powyżej 8 Gb/s. Firma SK hynix oczekuje, że rynek pamięci DDR5 MCR DIMM będzie rozwijał się dzięki złożonym obliczeniom, które angażują mnóstwo danych. Firma planuje wprowadzić opisywaną pamięć do masowej produkcji w przyszłości. Jak przyznaje szef działu planowania rozwiązań DRAM firmy SK hynix, Sungsoo Ryu:
"Możliwości firmy SK hynix w zakresie projektowania modułów DRAM są doskonałe (...). Dla prawidłowego działania pamięci DDR5 MCR DIMM, istotne są interakcje pomiędzy: buforem danych a aplikacjami poza modułem."
Więcej informacji pod adresem: news.skhynix.com